[发明专利]一种降低铜互连方块电阻的全光阻双大马士革方法

权利要求书

1.一种降低铜互连方块电阻的全光阻双大马士革方法，其特征在于，包括以下顺序步骤：

步骤1：在下层金属互连结构层上先后淀积一刻蚀阻挡层、一SiOCH低k介电层和一SiO₂介电保护层，在一SiO₂介电保护层上旋涂第一光阻层，在第一光阻层上光刻形成通孔的图形，对通孔图形进行刻蚀，刻蚀至通孔中暴露出刻蚀阻挡层为止，去除第一光阻层，所述通孔图形位于下层金属互结构层中的互联结构上方；

步骤2：在SiO₂介电保护层表面和通孔内旋涂一底部抗反射层，在底部抗反射层上先后旋涂一低温氧化硅玻璃层和第二光阻层，并在第二光阻层上形成可全部金属导线槽的图形，对全部金属导线槽的图形进行刻蚀，刻蚀至SiOCH低k介电层中为止，除去第二光阻层、低温氧化硅玻璃层和底部抗反射层，所述全部金属导线槽中暴露有所述通孔： 

步骤3：在SiO₂介电保护层表面、通孔和全部金属导线槽的底面和侧壁上内旋涂第三光阻层，并在第三光阻层上形成可加厚金属导线的图形，对可加厚金属导线槽的图形进行刻蚀，刻蚀至SiOCH低k介电层中为止，去除第三光阻层，所述可加厚金属导线槽在全部金属导线槽中；

步骤4：对通孔底部的刻蚀阻挡层进行刻蚀，使得通孔底部暴露出互联结构；

步骤5：在SiO₂介电保护层表面、通孔、全部金属导线槽和可加厚金属导线槽的底部和侧壁先后淀积金属阻挡层和铜籽晶层，所述金属阻挡层与互联结构相接触；

步骤6：研磨去除SiO₂介电保护层以及覆盖在其上的金属阻挡层和铜籽晶层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属阻挡层为TaN/Ta材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光阻层由光刻胶材料组成。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述SiOCH低k介电层的相对介电常数的范围为2~4.2。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述SiOCH低k介电层材料为氟掺杂氧化硅玻璃、掺碳氧化硅、多孔低介电常数材料、氧化硅、硼磷氧化硅玻璃中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层为SiCN。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述研磨采用化学机械研磨法。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀采用等离子体干法刻蚀。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层、SiOCH低k介电层和SiO₂介电保护层采用化学汽相沉积生长。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属阻挡层和铜籽晶层采用物理汽相沉积生长。