[发明专利]预非晶化注入的高温Ti自对准硅化物工艺有效
| 申请号： | 201110385947.5 | 申请日： | 2011-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN102403210A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 陈海峰;聂圆燕;洪根深;郭晶磊 | 申请（专利权）人： | 无锡中微晶园电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/283;H01L21/265 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 预非晶化 注入 高温 ti 对准 硅化物 工艺 | ||
1.一种预非晶化注入的高温Ti自对准硅化物工艺，其特征是，所述自对准工艺包括如下步骤：
（a）、提供衬底，并在衬底上形成栅极区、源极区及漏极区；
（b）、用注入机对上述衬底对应形成栅极区、源极区及漏极区的表面注入所需的非晶化离子，使得上述衬底表面的硅及多晶硅处于非晶化状态；
（c）、对上述非晶化过的衬底表面淀积高温Ti膜；
（d）、对上述衬底进行低温退火，以使上述Ti膜形成C49相的TiSi2膜；
（e）、去除衬底表面未形成TiSi2膜的Ti膜；
（f）、对上述衬底进行高温退火，以使上述TiSi2膜形成稳定C54相的TiSi2膜。
2.根据权利要求1所述的预非晶化注入的高温Ti自对准硅化物工艺，其特征是：所述衬底的材料为硅。
3.根据权利要求1所述的预非晶化注入的高温Ti自对准硅化物工艺，其特征是：所述非晶化离子包括Ar或As。
4.根据权利要求3所述的预非晶化注入的高温Ti自对准硅化物工艺，其特征是：所述注入非晶化离子为Ar离子时，注入Ar离子的能量为40Kev，剂量为1×1014~3×1014个/cm2。
5.根据权利要求3所述的预非晶化注入的高温Ti自对准硅化物工艺，其特征是：所述步骤（c）中，淀积Ti膜的温度为200~300℃。
6.根据权利要求3所述的预非晶化注入的高温Ti自对准硅化物工艺，其特征是：所述步骤（d）中，进行低温退火的温度为640℃。
7.根据权利要求3所述的预非晶化注入的高温Ti自对准硅化物工艺，其特征是：所述步骤（f）中，进行高温退火的温度为850℃。
8.根据权利要求3所述的预非晶化注入的高温Ti自对准硅化物工艺，其特征是：所述步骤（c）中淀积Ti膜的厚度为300à。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
