[发明专利]一种萤石型涂层导体缓冲层及其制备方法无效
| 申请号： | 201110386230.2 | 申请日： | 2011-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN102491748A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 金利华;卢亚锋;冯建情;高玲;于泽铭;李成山 | 申请（专利权）人： | 西北有色金属研究院 |
| 主分类号： | C04B35/48 | 分类号： | C04B35/48;C04B35/622 |
| 代理公司： | 西安创知专利事务所 61213 | 代理人： | 谭文琰 |
| 地址： | 710016*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 萤石 涂层 导体 缓冲 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种萤石型涂层导体缓冲层，其特征在于，该缓冲层的化学组成为MnxHf1-xO2，其中0.2≤x≤0.3。
2.一种制备如权利要求1所述缓冲层的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
步骤一、将乙酰丙酮锰和乙酰丙酮铪按照摩尔比为x∶(1-x)的比例称取后溶解于丙酸，配制成乙酰丙酮锰和乙酰丙酮铪总摩尔浓度为0.1mol/L～1.0mol/L的前驱液，其中0.2≤x≤0.3；
步骤二、将步骤一中所述前驱液旋涂于基底上，然后将旋涂前驱液的基底置于管式炉中，在还原性气氛中，以不低于25℃/min的升温速率将炉内温度从室温升至900℃～1050℃，并保温0.2h～1h，随炉冷却至室温，得到萤石型MnxHf1-xO2缓冲层。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤一中所述丙酸为分析纯试剂。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤二中所述基底为LaAlO3基底或NiW/Y2O3/YSZ基底，其中，NiW为镍钨金属基带，YSZ是指钇稳定的氧化锆。
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤二中所述旋涂的转速为1000rpm～3000rpm，旋涂时间为10s～60s。
6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤二中所述还原性气氛为氩气与氢气的混合气氛，所述混合气氛中氢气的体积百分含量为4％。
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