[发明专利]离子注入方法及离子注入机

权利要求书

1.一离子注入方法，包含了：

侦测一离子束截面特征；

依据该离子束截面特征计算一离子注入剂的截面特征及离子注入剂的均匀度；

依据该计算测定该离子束的一最佳化位移距离；以及

在一整个扫描操作过程，以最佳化的位移距离将离子簇注入于一晶圆表面。

2.如权利要求1所述的离子注入方法，其特征在于，在侦测步骤时应用了一离子束截面特征分析仪。

3.如权利要求2所述的离子注入方法，其特征在于，该离子束截面特征分析仪为一一维离子束截面特征分析仪，运用在侦测一个方向的离子束截面特征。

4.如权利要求3所述的离子注入方法，其特征在于，该一维离子束截面特征分析仪包含了具有一凹槽的一主体，以及一侦测单元配置在该主体的该凹槽后方。

5.如权利要求2所述的离子注入方法，其特征在于，该离子束截面特征分析仪为一二维离子束截面特征分析仪，应用在侦测二维离子束截面特征。

6.如权利要求5所述的离子注入方法，其特征在于，该二维离子束截面特征分析仪包含了具有一洞孔阵列的一主体，以及一侦测单元配置在该主体的该洞孔阵列的后方。

7.如权利要求5所述的一离子注入方法，其特征在于，该二维离子束截面特征分析仪包含了一具有一洞孔矩阵的一主体，以及一侦测单元设置在该洞孔矩阵的后方。

8.如权利要求2所述的离子注入方法，其特征在于，该离子束截面特征分析仪为一斜角离子束截面特征分析仪，用以侦测斜角离子束截面特征，其包含了离子束线心及线宽。

9.如权利要求8所述的离子注入方法，其特征在于，该斜角离子束截面特征分析仪包含了具有一三个洞孔阵列的一主体，以及一侦测单元配置在该三个洞孔阵列的后方。

10.如权利要求1所述的离子注入方法应用于一二分位、四分位、六分位及八分位模式的离子注入方法。

11.一离子注入的方法，包括：

侦测一离子束截面特征；

依据离子束截面特征，计算出一离子注入剂截面特征以及离子注入剂的均匀度；

依据该计算，测定出该离子束的一最佳化位移距离；

于一扫描路径上，应用该最佳化位移距离，注入离子在一晶圆面上；以及

重复上述步骤直到一整个扫描程序完成为止。

12.如权利要求11所述的离子注入方法，其特征在于，在侦测步骤中，应用一离子束截面特征分析仪。

13.如权利要求12所述的离子注入方法，其特征在于，该离子束截面特征分析仪为一维离子束截面特征分析仪，用以侦测一个方向性的离子束截面特征。

14.如权利要求13所述的离子注入方法，其特征在于，该一维离子束截面特征分析仪包含了具有一凹槽的一主体，以及一侦测单元配置在主体凹槽的后方。

15.如权利要求12所述的离子植入方法，其特征在于，该离子束截面特征分析仪为一二维离子束分析仪，用以侦测二方向的离子束截面特征。

16.如权利要求15所述的离子注入方法，其特征在于，该二维离子束截面特征分析仪包含具有一洞孔阵列的一主体，以及一侦测单元设置在该主体的该洞孔阵列的后方。

17.如权利要求15所述的离子注入方法，其特征在于，该二维离子束截面特征分析仪包含一洞孔矩阵的一主体以及一侦测单元设置在该主体的该洞孔阵列的后方。

18.如权利要求12所述的离子注入方法，其特征在于，该离子束截面特征分析仪为一斜角离子束分析仪，用以侦测离子束斜角截面特征，其包含离子束线心与线宽。

19.如权利要求18所述的离子注入方法，其特征在于，该斜角离子束截面特征分析仪包含了具有一三个洞孔阵列的一主体，以及一侦测单元在洞孔后方。

20.如权利要求11所述的离子注入方法应用了一二分位模式、四分位模式、六分位模式及八分位注入模式。