[发明专利]带网状支撑框架的低应力微拉伸试样的制备方法

权利要求书

1.一种带网状支撑框架的低应力微拉伸试样的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

第一步，制作微拉伸试样掩模版，分为Cu-TSV试样层掩模版及支撑框架层掩模版；

第二步，在玻璃基片上旋涂光刻胶作为牺牲层，并进行前烘处理；

第三步，在光刻胶牺牲层上溅射金属Ti层，做Ti表面活化处理，并将基片烘干；

第四步，在表面活化处理的Ti层上旋涂光刻胶，然后将玻璃基片依次通过曝光、显影处理，根据掩模版设计的微拉伸试样形状，实现微拉伸试样层的光刻胶结构的图形化；

第五步，在图形化的光刻胶层上采用电化学沉积技术，得到Cu-TSV微拉伸试样层；

第六步，将制得的微拉伸试样层进行清洗并烘干，随后再在其上依次进行胶上甩胶、曝光、显影处理，根据掩膜版设计的支撑框架形状，实现支撑框架层的光刻胶结构的图形化，并采用电化学沉积技术电镀得到支撑框架层；

第七步，去除光刻胶、刻蚀Ti溅射层，并去除底层光刻胶牺牲层，得到与基底分离的独立的带有网状支撑框架的悬空Cu-TSV微拉伸试样。

2.根据权利要求1所述的带网状支撑框架的低应力微拉伸试样的制备方法，其特征在于：所述微拉伸试样的形状和尺寸均由掩模版上的图形和尺寸决定。

3.根据权利要求1所述的带网状支撑框架的低应力微拉伸试样的制备方法，其特征在于：所述光刻胶牺牲层，其光刻胶为AZ4630，并以1200转/分的速度旋涂30sce，其厚度为10μm。

4.根据权利要求1所述的带网状支撑框架的低应力微拉伸试样的制备方法，其特征在于：所述前烘处理的温度和时间为110℃、1h。

5.根据权利要求1所述的带网状支撑框架的低应力微拉伸试样的制备方法，其特征在于：所述金属Ti溅射层，其厚度为0.8～1μm。

6.根据权利要求1所述的带网状支撑框架的低应力微拉伸试样的制备方法，其特征在于：所述表面活化处理方法采用的活化处理液配方为5Vol.％冰醋酸、1Vol.％氢氟酸、1Vol.％双氧水和0.05wt％十二烷基磺酸钠，处理时间为50s。

7.根据权利要求1所述的带网状支撑框架的低应力微拉伸试样的制备方法，其特征在于：第四步中，所述旋涂光刻胶指以1200转/分的速度旋涂光刻胶30秒，所述的光刻胶为AZ4630，其厚度为10μm。

8.根据权利要求1所述的带网状支撑框架的低应力微拉伸试样的制备方法，其特征在于：第六步中，所述胶上甩胶是指以1100转/分的速度旋涂光刻胶30秒，所述的光刻胶为AZ49，其厚度为30μm，或以1300转/分的速度旋涂光刻胶30秒，所述的光刻胶为AZ50，其厚度为40μm。

9.根据权利要求1或7或8所述的带网状支撑框架的低应力微拉伸试样的制备方法，其特征在于：第四步与第六步中所述曝光、显影处理，其显影时间分别为150s与480s。

10.根据权利要求1-8中任一项所述的带网状支撑框架的低应力微拉伸试样的制备方法，其特征在于：所述微拉伸试样层及支撑框架层，其电镀工艺采用镀液分别为甲基磺酸铜与硫酸铜，电镀温度均为20℃，电镀厚度分别为6～8μm与40～45μm。