[发明专利]一种提高LED芯片制造精度的方法无效
| 申请号： | 201110386625.2 | 申请日： | 2011-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103137794A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 汪洋;郝茂盛 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 led 芯片 制造 精度 方法 | ||
1.一种提高LED芯片制造精度的方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：
步骤一，提供一蓝宝石衬底，在所述蓝宝石衬底上生长GaN外延层，伴随所述GaN外延层的生长所述蓝宝石衬底的边缘形成有外延层GaN突起；
步骤二，在所述GaN外延层表面旋涂流体保护材料以形成保护层；
步骤三，对所述保护层进行坚膜处理以形成LED晶片样品；
步骤四，对所述LED晶片样品的边缘进行斜角研磨以去除所述外延层GaN突起，以制造出整体厚度一致的LED晶片。
2.根据权利要求1所述的提高LED芯片制造精度的方法，其特征在于：所述步骤二中的流体保护材料为保护液或光刻胶。
3.根据权利要求2所述的提高LED芯片制造精度的方法，其特征在于：所述光刻胶的粘度为12cp。
4.根据权利要求1所述的提高LED芯片制造精度的方法，其特征在于：所述步骤二中旋涂所述流体保护材料时，不间断且顺序执行以下步骤：
1)旋涂转速为700r/min时，旋涂时间为20s；
2)旋涂转速为3500r/min时，旋涂时间为15s；
3)旋涂转速为5000r/min时，旋涂时间为3s。
5.根据权利要求1所述的提高LED芯片制造精度的方法，其特征在于：于所述步骤二中形成的保护层厚度为1-2μm。
6.根据权利要求1所述的提高LED芯片制造精度的方法，其特征在于：所述步骤三中，采用加热烘烤蒸发技术对所述保护层进行坚膜处理，烘烤温度为85-95℃，烘烤时间为360s。
7.根据权利要求1所述的提高LED芯片制造精度的方法，其特征在于：所述步骤四中，采用专用晶体倒角机对所述LED晶片样品的边缘进行斜角研磨。
8.根据权利要求7所述的提高LED芯片制造精度的方法，其特征在于：所述斜角研磨为将所述专用晶体倒角机的砂轮面与所述LED晶片样品的上表面成45度角进行研磨。
9.根据权利要求8所述的提高LED芯片制造精度的方法，其特征在于：所述LED晶片样品的边缘的研磨面幅为145-155μm。
10.根据权利要求8所述的提高LED芯片制造精度的方法，其特征在于：所述专用晶体倒角机的砂轮的粒度为400目。
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