[发明专利]一种低温等离子体温度传感装置有效
| 申请号： | 201110386783.8 | 申请日： | 2011-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN102538996A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 李程;张瑜;杨渝书 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01K7/02 | 分类号： | G01K7/02 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低温 等离子体 温度 传感 装置 | ||
1.一种低温等离子体温度传感装置，包括一等离子体发生腔体，其特征在于，还包括：
一温度传感器设置于等离子体发生腔体内，以用于侦测等离子体内部的温度；
其中，该探测传感器的外部设置有保护层，一抗干扰层覆盖所述保护层。
2.根据权利要求1所述的低温等离子体温度传感装置，其特征在于，还包括一高度调节装置，温度传感器设置在该高度调节装置上。
3.根据权利要求1或2所述的低温等离子体温度传感装置，其特征在于，温度传感器为热电偶。
4.根据权利要求3所述的低温等离子体温度传感装置，其特征在于，根据温度量测范围，所述热电偶类型选择为S、R、B、K、T、J、N或E型，。
5.根据权利要求1所述的低温等离子体温度传感装置，其特征在于，所述保护层的材质为绝缘导热材料。
6.根据权利要求5所述的低温等离子体温度传感装置，其特征在于，绝缘导热材料为硅胶、树脂或陶瓷。
7.根据权利要求1所述的低温等离子体温度传感装置，其特征在于，采用CVD或PVD工艺淀积抗干扰层。
8.根据权利要求1或7所述的低温等离子体温度传感装置，其特征在于，抗干扰层的材质为SiO2、Si3N4或Si。
9.根据权利要求1或2所述的低温等离子体温度传感装置，其特征在于，温度传感器为平面结构的星形、环形或星形与环形相结合形状。
10.根据权利要求1或2所述的低温等离子体温度传感装置，其特征在于，温度传感器的探测点根据测量需求设置在不同位置。
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