[发明专利]顶发射有机电致发光器件及其制备方法无效
| 申请号： | 201110386817.3 | 申请日： | 2011-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103137890A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 周明杰;王平;黄辉;梁禄生 | 申请（专利权）人： | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳市隆天联鼎知识产权代理有限公司 44232 | 代理人： | 刘抗美;周惠来 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发射 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种顶发射有机电致发光器件，其包括基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极，其特征在于，在阴极上形成有二氧化钛增透膜。
2.如权利要求1所述的顶发射有机电致发光器件，其中，所述二氧化钛增透膜的厚度是20nm～150nm。
3.如权利要求2所述的顶发射有机电致发光器件，其中，所述二氧化钛增透膜的厚度是40nm～80nm。
4.如权利要求1～3中任一项所述的顶发射有机电致发光器件，其中，所述二氧化钛增透膜是锐钛矿二氧化钛膜。
5.一种顶发射有机电致发光器件的制造方法，其用于制造权利要求1～4中任一项所述的有机电致发光器件，其特征在于，包括在阴极上形成二氧化钛增透膜的工序。
6.如权利要求5所述的顶发射有机电致发光器件的制造方法，其中，所述二氧化钛增透膜的厚度是20～150nm。
7.如权利要求6所述的顶发射有机电致发光器件的制造方法，其中，所述二氧化钛增透膜的厚度是40～80nm。
8.如权利要求5所述的顶发射有机电致发光器件的制造方法，其中，所述在阴极上形成二氧化钛增透膜的工序是在真空条件下蒸镀锐钛矿二氧化钛粉末而在阴极上形成锐钛矿二氧化钛膜的工序。
9.如权利要求8所述的顶发射有机电致发光器件的制造方法，其中，所述锐钛矿二氧化钛粉末是通过将二氧化钛溶胶进行煅烧然后研磨得到。
10.如权利要求9所述的顶发射有机电致发光器件的制造方法，其中，所述煅烧是在450℃下煅烧30～60min。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
