[发明专利]一种提高接触孔/通孔多次光刻重复性的方法无效
| 申请号： | 201110386886.4 | 申请日： | 2011-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN102437106A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 张亮;毛智彪;胡友存;陈玉文;李磊 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 接触 多次 光刻 重复性 方法 | ||
1.一种提高接触孔/通孔多次光刻重复性的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1：在一基底上生长一接触孔/通孔复合结构，所述复合结构从下至上依次为：刻蚀阻挡层、绝缘介质层、第一介质抗反射层；
步骤S2：在所述第一介质抗反射层表面覆盖一层第一底部抗反射层，在所述第一底部抗反射层表面旋涂一层第一光刻胶，进行第一次光刻；
步骤S3: 去除所述第一底部抗反射层及光刻胶，损害了所述第一介质抗反射层，形成受损第一介质抗反射层；
步骤S4：刻蚀去除所述受损第一介质抗反射层；
步骤S5：在所述绝缘介质层表面重新淀积一层第二介质抗反射层；
步骤S6：在所述第二介质抗反射层表面重新淀积一层第二底部抗反射层，在所述第二底部抗反射层表面涂敷一层第二光刻胶，进行第二次光刻。
2.根据权利要求1所述的提高接触孔/通孔多次光刻重复性的方法，其特征在于，所述基底为一硅单晶基板上的器件层。
3.根据权利要求1所述的提高接触孔/通孔多次光刻重复性的方法，其特征在于，所述基底为一金属布线层。
4.根据权利要求1所述的提高接触孔/通孔多次光刻重复性的方法，其特征在于，在步骤S1中的所述刻蚀阻挡层的材料为氮化硅或掺碳氮化硅。
5.根据权利要求1所述的提高接触孔/通孔多次光刻重复性的方法，其特征在于，在所述步骤S4中采用灰化、酸洗及干燥的方式去除所述光刻胶及所述第一底部抗反射层。
6.根据权利要求1所述的提高接触孔/通孔多次光刻重复性的方法，其特征在于，在步骤S5中，采用等离子体干法刻蚀方法去除受损的所述第一介质抗反射层。
7.根据权利要求1所述的提高接触孔/通孔多次光刻重复性的方法，其特征在于，在步骤S5中，采用湿化学刻蚀方法去除受损的所述第一介质抗反射层。
8.根据权利要求1所述的提高接触孔/通孔多次光刻重复性的方法，其特征在于，所述第一介质抗反射层和所述第二介质抗反射层使用相同材料制成。
9.根据权利要求1所述的提高接触孔/通孔多次光刻重复性的方法，其特征在于，在步骤S6中，采用与所述第一介质抗反射层相同的生长方式淀积所述第二介质抗反射层。
10.根据权利要求1或9所述的提高接触孔/通孔多次光刻重复性的方法，其特征在于，采用化学气相沉积方式，重新淀积一层第二介质抗反射层。
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