[发明专利]一种用于等离子体侦测的装置无效
| 申请号： | 201110386891.5 | 申请日： | 2011-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN102543788A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 李程;张瑜;杨渝书 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 等离子体 侦测 装置 | ||
1.一种用于等离子体侦测的装置，包括设置有等离子体的等离子体发生腔体，其特征在于，还包括：
一设置于该等离子体发生腔体内的探测传感器，以用于侦测等离子体的特征参数；
其中，该探测传感器的外壳外部设置有与所述等离子材质相同的抗干扰层。
2.根据权利要求1所述的用于等离子体侦测的装置，其特征在于，还包括一高度调节装置，探测传感器设置在该高度调节装置上。
3.根据权利要求1或2所述的用于等离子体侦测的装置，其特征在于，探测传感器为朗缪尔静电探针。
4.根据权利要求3所述的用于等离子体侦测的装置，其特征在于，朗缪尔静电探针为单针型、双针型或发射型。
5.根据权利要求3所述的用于等离子体侦测的装置，其特征在于，所述探测传感器的外壳为绝缘外层或内绝缘的金属外层。
6.根据权利要求1所述的用于等离子体侦测的装置，其特征在于，采用CVD或PVD工艺淀积抗干扰层。
7.根据权利要求1或6所述的用于等离子体侦测的装置，其特征在于，抗干扰层的材质为SiO2、Si3N4或Si。
8.根据权利要求1所述的用于等离子体侦测的装置，其特征在于，所述特征参数包括电子温度、电子密度、空间电位、悬浮电位与电子能量分布函数。
9.根据权利要求1或2所述的用于等离子体侦测的装置，其特征在于，探测传感器为平面结构的星形、环形或星形与环形相结合形状。
10.根据权利要求1或2所述的用于等离子体侦测的装置，其特征在于，探测传感器的探测点根据测量需求设置在不同位置。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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