[发明专利]一种太阳电池背面钝化层的制备方法

权利要求书

1.一种太阳电池背面钝化层的制备方法，其特征在于：它包括如下步骤：

(1)按照后期需要背面电极的形状，制作掩膜；

(2)将掩膜置于待钝化的太阳电池硅片背面，然后再采用常规钝化方法，在硅片背面沉积钝化层后，将硅片与掩膜分离即可。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述掩膜，是由掩膜框和钢线组成，钢线按后期背面电极的形状附着于掩膜框上，即形成掩膜；掩膜框采用钢质材料，掩膜框的尺寸大于太阳电池硅片。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：钢线的线径为100～120μm。

4.根据权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于：钢线呈纵向或/和横向分布。

5.一种用于制备太阳电池背面钝化层的掩膜，其特征在于：它包括掩膜框和钢线，掩膜框呈矩形，钢线按后期背面电极的形状附着于掩膜框上。

6.根据权利要求5所述的掩膜，其特征在于：所述钢线的线径为100～120um。

7.根据权利要求5或6所述的掩膜，其特征在于：钢线呈纵向或/和横向分布。

8.根据权利要求5所述的掩膜，其特征在于：所述掩膜框采用钢质材料，掩膜框的尺寸应大于太阳电池硅片。