[发明专利]一种采用反射式互易光路的光纤磁场传感器无效

专利信息
申请号: 201110388071.X 申请日: 2011-11-29
公开(公告)号: CN102508177A 公开(公告)日: 2012-06-20
发明(设计)人: 王夏霄;于佳;李传生;冯秀娟;李立京;邬战军;张晞;李彦 申请(专利权)人: 北京航空航天大学
主分类号: G01R33/032 分类号: G01R33/032;G02B6/27;G02B6/255
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100083*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 采用 反射 式互易光路 光纤 磁场 传感器
【权利要求书】:

1.一种采用反射式互易光路的光纤磁场传感器,其特征在于,包括光源(1)、分路器(2)、起偏器(3)、相位调制器(4)、延迟光纤(5)、法拉第旋光器(6)、换能器(7)、补偿光纤(8)、反射镜(9)和光电探测器(10),光源(1)的尾纤与分路器(2)的第一输入端光纤熔接在一起,光电探测器(10)的尾纤与分路器(2)的第二输入端光纤熔接在一起,分路器(2)的输出端光纤与起偏器(3)熔接,起偏器(3)的输出端保偏光纤与相位调制器(4)的输入端保偏光纤以45°熔接,相位调制器(4)的输出端光纤与延迟光纤(5)的输入端光纤熔接,延迟光纤(5)的输出端光纤与法拉第旋光器(6)输入端光纤熔接,法拉第旋光器(6)输出端光纤与换能器(7)的传感光纤的输入端熔接,换能器(7)的传感光纤的输出端与补偿光纤(8)的输入端以90°熔接,补偿光纤(8)的输出端端面采用反射镜(9),光电探测器(10)的输出端与信号处理电路相连接,信号处理电路的第一输出端给相位调制器(4)提供电信号进行相位调制,信号处理电路的第二输出端给换能器(7)提供电信号进行偏置调制。

2.根据权利要求1所述的采用反射式互易光路的光纤磁场传感器,其特征在于:所述的光源(1)可以是SLD光源、掺铒光纤光源、LED光源等宽谱光源;所述的分束器(2)是保偏光纤环形器、保偏耦合器、单模光纤环形器或单模耦合器中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的采用反射式互易光路的光纤磁场传感器,其特征在于,所述的换能器(7)的传感光纤是保偏光纤。

4.根据权利要求1所述的采用反射式互易光路的光纤磁场传感器,其特征在于,所述的延迟光纤(5)与相位调制器(4)、法拉第旋光器(6)的连接是跳线连接或熔接方式连接。

5.根据权利要求1所述的采用反射式互易光路的光纤磁场传感器,其特征在于,所述的法拉第旋光器(6)的旋光角度为45°。

6.一种采用反射式互易光路的光纤磁场传感器,其特征在于,包括光源(1)、分路器(2)、集成相位调制器(11)、偏振分束/合束器(12)、延迟光纤(5)、法拉第旋光器(6)、换能器(7)、补偿光纤(8)、反射镜(9)和光电探测器(10),光源(1)的尾纤与分路器(2)的第一输入端光纤熔接在一起,光电探测器(10)的尾纤与分路器(2)的第二输入端光纤熔接在一起,分路器(2)的输出端与集成相位调制器(11)熔接,集成相位调制器(11)的第一输出端保偏光纤与偏振分束/合束器(12)的第一输入端保偏光纤熔接,集成相位调制器(11)的第二输出端保偏光纤与偏振分束/合束器(12)的第二输入端保偏光纤熔接,偏振分束/合束器(12)的输出端光纤与延迟光纤(5)的输入端光纤熔接,延迟光纤(5)的输出端光纤与法拉第旋光器(6)输入端光纤熔接,法拉第旋光器(6)输出端光纤与换能器(7)的传感光纤的输入端熔接,换能器(7)的传感光纤的输出端与补偿光纤(8)的输入端以90°熔接,补偿光纤(8)的输出端端面采用反射镜(9),光电探测器(10)的输出端与信号处理电路相连接,信号处理电路的第一输出端给相位调制器(4)提供电信号进行相位调制,信号处理电路的第二输出端给换能器(7)提供电信号进行偏置调制。

7.根据权利要求6所述的采用反射式互易光路的光纤磁场传感器,其特征在于:所述的光源(1)可以是SLD光源、掺铒光纤光源、LED光源等宽谱光源;所述的分束器(2)是保偏光纤环形器、保偏耦合器、单模光纤环形器或单模耦合器中的任意一种;所述的延迟光纤(5)与集成相位调制器(11)、法拉第旋光器(6)的连接是跳线连接或熔接方式连接。

8.根据权利要求6所述的采用反射式互易光路的光纤磁场传感器,其特征在于,所述的换能器(7)的传感光纤是保偏光纤。

9.根据权利要求6所述的采用反射式互易光路的光纤磁场传感器,其特征在于,所述的法拉第旋光器(6)的旋光角度为45°。

10.根据权利要求6所述的采用反射式互易光路的光纤磁场传感器,其特征在于,所述的偏振分束/合束器(12)采用保偏耦合器。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京航空航天大学,未经北京航空航天大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110388071.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top