[发明专利]一种低噪声放大器有效
| 申请号： | 201110388407.2 | 申请日： | 2011-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103138682A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 朱红卫;刘国军;胡冠斌 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26;H03F3/189 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低噪声放大器 | ||
【权利要求书】：
1.一种低噪声放大器，其特征是，包括：4个PMOS管，编号为B1至B4；4个电感，编号为L1至L5；4个电阻，编号为R1至R4；2个电容C1和C2；
输入端接L1和R2的一端，L1另一端接B3栅极，R2另一端接B1栅极；B1栅极漏极短接，其源极接地；
电源电压接R1的一端、L2的一端、L3的一端和B2栅极，R1另一端接B1漏极，L2另一端接B2漏极和B4栅极，L3另一端接B4漏极；
R3一端接B2漏极，另一端接C1正极，C1负极L4一端，L4另一端接输出端；C2正极接B4漏极，C2负极接地；
B2源极接B3漏极，B3源极通过L5接地；B4源极通过R4接地。
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