[发明专利]一种穿过硅片接触孔的电阻测试结构及测试方法有效
| 申请号： | 201110388433.5 | 申请日： | 2011-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103137604A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 苗彬彬;金锋 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G01R27/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 穿过 硅片 接触 电阻 测试 结构 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种穿过硅片接触孔的电阻测试结构，其特征是，包括：硅基板衬底上的接触孔中具有两组通孔，每组通孔具有N个工艺参数相同的通孔，所述通孔穿过硅片在硅片背面相互连接，所述两组通孔在硅片表面分别通过金属线引出，其中N≥5。
2.如权利要求1所述的测试结构，其特征是：所述通孔侧壁具有氧化层。
3.一种如权利要求1所述测试结构的测试方法，其特征是，包括：
(1)在硅基板衬底上生长氧化膜；
(2)制作接触孔同时制作两组穿过硅片的通孔，每组具有N个通孔，两组通孔排列于接触孔内；
(3)将通孔侧壁覆盖氧化层；
(4)在硅片背面蒸金使两组通孔在硅片背面相连；
(5)将两组通孔分别用一根金属线引出分别连接不同测试端口；
(6)用卡尔文测电阻方法，测得两组通孔之间所有电阻，R1a＝2R通孔组+R金，其中R1a是两组通孔之间的电阻，计算得到R接触孔＝NR1a/2。
4.如权利要求3所述的测试方法，其特征是：实施步骤(2)时，两组通孔间距离为所采用制作工艺能达到的最近距离。
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