[发明专利]沟槽刻蚀方法以及半导体器件制造方法

权利要求书

1.一种沟槽刻蚀方法，其特征在于包括：

衬垫氧化层形成步骤，用于在衬底上形成衬垫氧化层；

硬掩膜形成步骤，用于在所述衬垫氧化层上形成硬掩膜；

光刻胶层形成步骤，用于在所述硬掩膜上形成光刻胶层；

光刻步骤，用于对光刻胶层进行光刻以得到光刻胶层的图案；

硬掩膜刻蚀步骤，用于利用光刻步骤所得到的光刻胶层的图案对所述硬掩膜进行刻蚀以形成硬掩膜图案；

光刻胶层去除步骤，利用氧气去除所述光刻胶层；以及

沟槽刻蚀步骤，用于利用硬掩膜刻蚀步骤刻蚀出的所述硬掩膜图案来利用氧气刻蚀沟槽；

其中，在通过控制所述沟槽刻蚀步骤中的氧气流量来控制所述沟槽刻蚀步骤所刻蚀出来的沟槽的关键尺寸，当所述沟槽刻蚀步骤中的氧气流量较大时，即对硬掩膜阻挡层侧壁的保护较强时，即产生较厚的侧壁氧化层，所述沟槽刻蚀步骤所刻蚀出来的沟槽的关键尺寸较大；当所述沟槽刻蚀步骤中的氧气流量较小时，即对硬掩膜阻挡层侧壁的保护较弱时，即产生较薄的侧壁氧化层，所述沟槽刻蚀步骤所刻蚀出来的沟槽的关键尺寸较小。

2.根据权利要求1所述的沟槽刻蚀方法，其特征在于，所述硬掩膜包括第一硬掩膜层和第二硬掩膜层。

3.根据权利要求2所述的沟槽刻蚀方法，其特征在于，所述硬掩膜形成步骤包括：首先在所述衬垫氧化层上形成第一硬掩膜层，然后在所述第一硬掩膜层上形成第二硬掩膜层。

4.根据权利要求2或3所述的沟槽刻蚀方法，其特征在于，所述第一硬掩膜层由氮硅化合物组成。

5.根据权利要求2或3所述的沟槽刻蚀方法，其特征在于，所述第二硬掩膜层由氮硅氧化合物组成。

6.根据权利要求1至3之一所述的沟槽刻蚀方法，其特征在于，所述沟槽刻蚀方法用于刻蚀浅沟槽。

7.一种半导体器件制造方法，其特征在于采用了根据权利要求1至6之一所述的沟槽刻蚀方法。