[发明专利]锗硅HBT工艺中的寄生横向型PNP三极管及制造方法

权利要求书

1.一种锗硅HBT工艺中的寄生横向型PNP三极管，形成于硅衬底上，有源区由浅槽场氧隔离，其特征在于，包括：

基区，由形成于所述浅槽场氧底部的所述硅衬底中的N阱组成；

发射区，由形成于所述N阱中的第一P型赝埋层组成；在所述第一P型赝埋层顶部的所述浅槽场氧中形成有深孔接触并引出发射极；

集电区，由形成于所述浅槽场氧底部且位于所述N阱的侧面并和所述N阱的侧面相接触的第二P型赝埋层组成，所述发射区和所述集电区不接触且相隔一段横向距离；在所述第二P型赝埋层顶部的所述浅槽场氧中形成有深孔接触并引出集电极；

一N型深阱，该N型深阱位于所述浅槽场氧的底部并将所述基区、所述发射区和所述集电区都包围；

N型赝埋层，所述N型赝埋层形成于所述浅槽场氧底部并位于所述集电区的外侧并和所述集电区相隔一横向距离；所述N型赝埋层和所述N型深阱相接触；在所述N型赝埋层顶部的所述浅槽场氧中形成有深孔接触并引出基极。

2.一种锗硅HBT工艺中的寄生横向型PNP三极管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、采用光刻刻蚀工艺在硅衬底上形成有源区和浅沟槽；

步骤二、在所述浅沟槽底部进行P型离子注入同时形成第一P型赝埋层和第二P型赝埋层，所述第二P型赝埋层位于所述第一P型赝埋层的外侧且二者间相隔一段横向距离；

步骤三、在所述浅沟槽底部进行N型离子注入形成N型赝埋层，所述N型赝埋层位于所述第二P型赝埋层的外侧且和所述第二P型赝埋层相隔一横向距离；

步骤四、在所述浅沟槽中填入氧化硅形成浅槽场氧；

步骤五、进行N型离子注入在所述浅槽场氧底部的所述硅衬底中形成N阱，所述N阱将所述第一P型赝埋层包围，所述第二P型赝埋层位于所述N阱的侧面并和所述N阱的侧面相接触；由所述第一P型赝埋层组成发射区，由所述第二P型赝埋层组成集电区，由所述N阱组成基区；

步骤六、进行N型离子注入在所述浅槽场氧底部的所述硅衬底中形成N型深阱，该N型深阱将所述基区、所述发射区和所述集电区都包围；所述N型赝埋层和所述N型深阱相接触；

步骤七、在所述第一P型赝埋层、所述第二P型赝埋层和所述N型赝埋层顶部的所述浅槽场氧中分别形成深孔接触并分别引出发射极、集电极和基极。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于：步骤二中所述第一P型赝埋层和所述第二P型赝埋层的P型离子注入的工艺条件为：注入剂量为1e14cm^-2～1e16cm^-2、能量为小于15keV、注入杂质为硼或二氟化硼。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于：步骤三中所述N型赝埋层的N型离子注入的工艺条件为：注入剂量为1e14cm^-2～1e16cm^-2、能量为小于15keV、注入杂质为磷或砷。

5.如权利要求2所述的方法，其特征在于：步骤五中所述N阱的N型离子注入的工艺条件为：注入剂量为1e12cm^-2～1e14cm^-2、能量为100keV～400keV、注入杂质为磷或砷。

6.如权利要求2所述的方法，其特征在于：步骤六中所述N型深阱的N型离子注入的工艺条件为：注入剂量为1e11cm^-2～1e13cm^-2、能量为500keV～3000keV、注入杂质为磷或砷。