[发明专利]硅纳米线探测单元有效
| 申请号： | 201110388980.3 | 申请日： | 2011-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102522426A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 曹永峰 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;B82Y15/00;G01N27/26 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张浴月;张志杰 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米 探测 单元 | ||
1.一种硅纳米线探测单元，包括源极、漏极以及耦接在所述源极与所述漏极之间的硅纳米线，其特征在于，在所述硅纳米线上设置有光刻胶加固结构，和/或分别在所述漏极与所述硅纳米线的连接处、所述源极与所述硅纳米线的连接处设置第一应力释放区和第二应力释放区。
2.根据权利要求1所述的硅纳米线探测单元，其特征在于，根据所述硅纳米线的长宽比和/或光刻工艺设置所述光刻胶加固结构。
3.根据权利要求1或2所述的硅纳米线探测单元，其特征在于，所述光刻胶加固结构之间的间距相等或不相等。
4.根据权利要求1或2所述的硅纳米线探测单元，其特征在于，所述光刻胶加固结构的平面形状为矩形或正方形。
5.根据权利要求4所述的硅纳米线探测单元，其特征在于，所述矩形或所述正方形和所述硅纳米线的宽度方向平行的边与所述硅纳米线的宽度的比例关系介于4到6之间。
6.根据权利要求1所述的硅纳米线探测单元，其特征在于，所述第一应力释放区和所述第二应力释放区的形状相同或不相同。
7.根据权利要求6所述的硅纳米线探测单元，其特征在于，当所述第一应力释放区和所述第二应力释放区的形状相同时，所述第一应力释放区和所述第二应力释放区是以所述硅纳米线的长度方向呈轴对称的图形。
8.根据权利要求7所述的硅纳米线探测单元，其特征在于，所述轴对称的图形为轴对称梯形。
9.根据权利要求8所述的硅纳米线探测单元，其特征在于，所述轴对称梯形的高与所述第一应力释放区、所述第二应力释放区的比例关系介于1/10到1之间。
10.根据权利要求9所述的硅纳米线探测单元，其特征在于，所述比例关系为1/5。
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