[发明专利]用多晶硅生产中形成的硅泥制造免烧砖的方法及其免烧砖无效
申请号: | 201110389082.X | 申请日: | 2011-11-30 |
公开(公告)号: | CN102515639A | 公开(公告)日: | 2012-06-27 |
发明(设计)人: | 沈伟;徐予晗 | 申请(专利权)人: | 四川瑞能硅材料有限公司 |
主分类号: | C04B28/00 | 分类号: | C04B28/00;C04B18/04 |
代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人: | 徐宏;吴彦峰 |
地址: | 620041 *** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多晶 生产 形成 制造 免烧砖 方法 及其 | ||
1.用多晶硅生产中形成的硅泥制造免烧砖的方法,其特征在于:它通过以下步骤来实现:
A.将多晶硅生产过程中,废气、废液处理所形成的硅泥进行除氯,使硅泥中的氯含量小于0.5%,再进行压滤,使其含水量为10%-35%;
B.在硅泥中添加骨料与水泥,搅拌均匀,并压制成型,且所述骨料的粒径为0.5mm-10mm;
C将初步成型的免烧砖,经6至8天的自然养护,得到免烧砖。
2.如权利要求1所述的用多晶硅生产中形成的硅泥制造免烧砖的方法,其特征在于:步骤B中添加的骨料为河沙、石粉和/或煤渣。
3.如权利要求1所述的用多晶硅生产中形成的硅泥制造免烧砖的方法,其特征在于:步骤A中,多晶硅生产过程中,废气、废液处理所形成的硅泥的方法是:(1)将废气、废液送入废气洗涤塔,经洗涤塔的塔顶喷淋液洗涤后,形成的低浓度的盐酸和二氧化硅被送入淋洗池中,其中氢气、氮气、极少量氯化氢气体和氯硅烷气体经后续处理后排空;(2)将淋洗池中的低浓度盐酸送入压滤机,将盐酸与二氧化硅进行分离过滤;(3)将过滤后的低浓度盐酸送入废盐酸储罐,当盐酸的浓度小于15%时,送入废气洗涤塔循环喷淋,当盐酸浓度为15%以上时,将盐酸送至聚合氯化铝反应系统,吸收氯离子。
4.如权利要求3所述的用多晶硅生产中形成的硅泥制造免烧砖的方法,其特征在于:所述聚合氯化铝反应系统如下:(1)将浓度为15%以上盐酸送入聚合氯化铝反应釜,并向该反应釜中加入氢氧化铝,得到聚合氯化铝的粗产品;(2)反应液被冷却后送入pH调节罐,用铝酸钙粉调节pH值,待pH值合格,上层清液冷却后送入成品聚合氯化铝储罐,另行处理;(3)pH调节罐底部的含钙废液排至含钙废液储槽,并将含钙废液用于处理氢氟酸废液。
5.如权利要求3所述的用多晶硅生产中形成的硅泥制造免烧砖的方法,其特征在于:步骤A中硅泥的除氯方法为:将压滤机过滤后的二氧化硅滤渣经多次加水稀释,再经压滤机压滤,得到的低浓度盐酸被送入废气洗涤塔循环喷淋,当CL-含量小于0.5%,压滤去除水分,得到含水量为10%-35%的硅泥。
6.一种免烧砖,其特征在于:它包含重量百分比为30%-60%的硅泥,6%-8%的水泥,其余为骨料,所述硅泥的含水量为10%-35%,所述骨料的粒径为0.5mm-10mm。
7.如权利要求6所述的免烧砖,其特征在于:所述骨料为河沙、石粉和/或煤渣。
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