[发明专利]调整栅极功函数的方法与具有金属栅极的晶体管

权利要求书

1.一种调整栅极功函数的方法，其特征在于，包含：

提供一基底，一金属栅极设在置所述基底上中，一源极掺杂区和一漏极掺杂区分别设在所述金属栅极相对两侧的基底中，其中所述金属栅极分为一靠所述源极掺杂区的源极侧以及一靠所述漏极掺杂区的漏极侧；形成一掩模层覆盖所述源极掺杂区和所述漏极掺杂区；

进行一植入工序将氮植入所述金属栅极，使得所述源极侧具有一第一氮浓度且所述漏极侧具有一第二氮浓度，所述第一氮浓度高于所述第二氮浓度；以及

移除所述掩模层。

2.如权利要求1所述的调整栅极功函数的方法，其特征在于，所述植入工序为一斜角植入工序。

3.如权利要求1所述的调整栅极功函数的方法，其特征在于，所述金属栅极包含钛。

4.如权利要求1所述的调整栅极功函数的方法，其特征在于，所述金属栅极包含一材料选自下列群组包括银、铝、铜、铬、镍、碳、锗、钴、铂、和钨。

5.如权利要求1所述的调整栅极功函数的方法，其特征在于，所述第一氮浓度渐进地由所述源极侧向所述漏极侧方向递减。

6.如权利要求1所述的调整栅极功函数的方法，其特征在于，所述第二氮浓度渐进地由所述源极侧向所述漏极侧方向递减。

7.如权利要求1所述的调整栅极功函数的方法，其特征在于，所述金属栅极的源极侧的功函数大于所述金属栅极的漏极侧的功函数。

8.如权利要求1所述的调整栅极功函数的方法，其特征在于，所述金属栅极的一第一侧壁和所述金属栅极的一第二侧壁相对。

9.一种调整栅极功函数的方法，其特征在于，包含：

提供一基底，一金属栅极设在所述基底上，一源极预定掺杂区和一漏极预定掺杂区分别设在所述金属栅极的相对两侧的所述基底中，其中所述金属栅极分为一靠所述源极掺杂区的源极侧以及一靠所述漏极掺杂区的漏极侧；

形成一掩模层覆盖所述源极预定掺杂区和所述漏极预定掺杂区；

进行一植入工序将氮植入所述金属栅极，使得所述源极侧具有一第一氮浓度且所述漏极侧具有一第二氮浓度，所述第一氮浓度高于所述第二氮浓度；

移除所述掩模层；以及

形成一源极掺杂区于所述源极预定掺杂区内，并且形成一漏极掺杂区于所述漏极预定掺杂区内。

10.如权利要求9所述的调整栅极功函数的方法，其特征在于，所述植入工序为一斜角植入工序。

11.如权利要求9所述的调整栅极功函数的方法，其特征在于，所述金属栅极包含钛。

12.如权利要求9所述的调整栅极功函数的方法，其特征在于，所述金属栅极包含一材料选自下列群组包括银、铝、铜、铬、镍、碳、锗、钴、铂、和钨。

13.如权利要求9所述的调整栅极功函数的方法，其特征在于，所述第一氮浓度渐进地由所述源极侧向所述漏极侧方向递减。

14.如权利要求9所述的调整栅极功函数的方法，其特征在于，所述第二氮浓度渐进地由所述源极侧向所述漏极侧方向递减。

15.如权利要求9所述的调整栅极功函数的方法，其特征在于，所述金属栅极的源极侧的功函数大于所述金属栅极的漏极侧的功函数。

16.如权利要求9所述的调整栅极功函数的方法，其特征在于，所述金属栅极的一第一侧壁和所述金属栅极的一第二侧壁相对。

17.一种具有金属栅极的晶体管，特征在于包含：

基底；

金属栅极，设在所述基底上；及

源极掺杂区和漏极掺杂区分别设在金属栅极的相对两侧的基底中，其中所述金属栅极分为一靠所述源极掺杂区的源极侧以及一靠所述漏极掺杂区的漏极侧，所述源极侧具有一第一氮浓度且所述漏极侧具有一第二氮浓度，所述第一氮浓度大于所述第二氮浓度。

18.如权利要求17所述的具有金属栅极的晶体管，其特征在于，所述金属栅极包含钛。

19.如权利要求17所述的具有金属栅极的晶体管，其特征在于，所述第一氮浓度渐进地由所述源极侧向所述漏极侧方向递减。

20.如权利要求17所述的具有金属栅极的晶体管，其特征在于，所述第二氮浓度渐进地由所述源极侧向所述漏极侧方向递减。