[发明专利]基于硅光电倍增器的环境X、γ辐射测量方法及测量装置

权利要求书

1.一种基于硅光电倍增器的环境X、γ辐射测量方法，包括如下步骤：

(S1)环境中的X射线或γ射线照射闪烁晶体，使闪烁晶体发出可见光；

(S2)可见光照射到硅光电倍增器上，经硅光电倍增器的雪崩二极管阵列的光电转换，产生与可见光强度成正比的电信号；

(S3)电信号经放大后输出给信号和数据处理单元，进行X射线或γ射线的剂量换算，得到辐射剂量值。

2.如权利要求1所述的基于硅光电倍增器的环境X、γ辐射测量方法，其特征在于：在步骤(S3)中，当电信号以脉冲形式输出时，利用输出脉冲幅度对剂量的权重函数G(E)函数法来估算辐射剂量。

3.如权利要求1所述的基于硅光电倍增器的环境X、γ辐射测量方法，其特征在于：在步骤(S3)中，当电信号以电流形式输出时，由电流信号直接转换为辐射剂量，并同时进行温度补偿。

4.一种基于硅光电倍增器的环境X、γ辐射测量装置，其特征在于：包括由闪烁晶体和硅光电倍增器组合而成的探头，硅光电倍增器连接电源，硅光电倍增器的输出端与信号和数据处理单元连接，信号和数据处理单元与具有显示、报警和设定功能的人机交互平台连接。

5.如权利要求4所述的基于硅光电倍增器的环境X、γ辐射测量装置，其特征在于：所述的闪烁晶体和硅光电倍增器之间通过光导连接。

6.如权利要求4或5所述的基于硅光电倍增器的环境X、γ辐射测量装置，其特征在于：所述的闪烁晶体为CsI(T1)晶体。