[发明专利]半导体芯片有效
申请号: | 201110391347.X | 申请日: | 2011-11-30 |
公开(公告)号: | CN102543918A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 宇都野纪久生 | 申请(专利权)人: | 拉碧斯半导体株式会社 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H02J7/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李伟;王轶 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 芯片 | ||
1.一种半导体芯片,对其四边镶边而形成为矩形,该半导体芯片的特征在于,具有:
第1端子,其沿着所述四边之中的一个边形成,与太阳能电池电连接;
第2端子,其沿着所述一个边形成,与二次电池电连接;
布线,其电连接所述第1端子与所述第2端子。
2.根据权利要求1所述的半导体芯片,其特征在于,
在所述布线上连接有放电部,该放电部对由所述太阳能电池供给的电力进行放电,
所述放电部在所述第1布线和所述半导体芯片的所述四边之中的与所述一个边不同的边之间形成。
3.根据权利要求2所述的半导体芯片,其特征在于,
从所述第1端子到所述放电部的所述布线的布线电阻比从所述第2端子到所述放电部的所述布线的布线电阻小。
4.根据权利要求2或者3所述的半导体芯片,其特征在于,
从所述第1端子到所述放电部的所述布线的长度比从所述第2端子到所述放电部的所述布线的长度短。
5.根据权利要求2所述的半导体芯片,其特征在于,
在所述布线上设置有逆流防止部,该逆流防止部防止从所述二次电池向所述太阳能电池的电流的逆流,所述放电部连接在所述布线上的所述第1端子与所述逆流防止部之间。
6.根据权利要求2所述的半导体芯片,其特征在于,
所述放电部沿着所述半导体芯片的四边之中的离所述放电部的距离最近的边形成,并且与连接在接地电位上的第3端子电连接。
7.根据权利要求6所述的半导体芯片,其特征在于,
所述半导体芯片的四边之中的最近的边是所述一个边。
8.根据权利要求1所述的半导体芯片,其特征在于,
所述第1端子与所述第2端子相互邻接地形成。
9.一种半导体芯片,对其四边镶边而形成为矩形,该半导体芯片的特征在于,具有:
第1端子,其沿着所述四边之中的一个边形成,与太阳能电池电连接;
第2端子,其沿着与所述一个边相邻的另一个边形成,与二次电池电连接;
布线,其电连接所述第1端子与所述第2端子。
10.根据权利要求9所述的半导体芯片,其特征在于,
在所述布线上连接有放电部,该放电部对由所述太阳能电池供给的电力进行放电,
所述放电部在所述第1布线和所述半导体芯片的所述四边之中的与所述一个边以及所述另一个边不同的边之间形成。
11.根据权利要求10所述的半导体芯片,其特征在于,
从所述第1端子到所述放电部的所述布线的布线电阻比从所述第2端子到所述放电部的所述布线的布线电阻小。
12.根据权利要求10或者11所述的半导体芯片,其特征在于,
从所述第1端子到所述放电部的所述布线的长度比从所述第2端子到所述放电部的所述布线的长度短。
13.根据权利要求10所述的半导体芯片,其特征在于,
在所述布线上设置有逆流防止部,其防止从所述二次电池向所述太阳能电池的电流的逆流,所述放电部连接在所述布线上的所述第1端子与所述逆流防止部之间。
14.根据权利要求10所述的半导体芯片,其特征在于,
所述放电部沿着所述半导体芯片的四边之中的离所述放电部的距离最近的边形成,并且与连接在接地电位上的第3端子电连接。
15.根据权利要求14所述的半导体芯片,其特征在于,
所述半导体芯片的四边之中的最近的边是所述一个边或者所述另一个边。
16.根据权利要求9所述的半导体芯片,其特征在于,
所述第1端子与所述第2端子相互相邻地形成。
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