[发明专利]一种电流模灵敏放大器

权利要求书

1.一种电流模灵敏放大器，应用于存储器，其特征在于，包括：反馈钳位电路、电流比较放大器和加速响应电路，

所述反馈钳位电路的输入端与存储单元浮栅管相连接，为存储单元提供稳定偏置电压以得到流经该存储单元的稳定的传输电流，并通过输出端将所述传输电流输入所述电流比较放大器的同相输入端；

所述电流比较放大器的反相输入端与参考存储单元相连接，用于比较从所述参考存储单元获得的电流和从所述反馈钳位电路中获得的电流的大小，并通过输出端输出比较结果；

所述加速响应电路与电流比较放大器的输出端相连接，用于加速电流比较放大器的电流比较过程。

2.根据权利要求1所述的电流模灵敏放大器，其特征在于，还包括：输出整形电路，用于对所述电流差信号进行整形，所述输出整形电路的输入端与所述电流比较放大器的输出端相连接，所述输出整形电路的输出端用于输出整形后的电流差信号。

3.根据权利要求1或2所述的电流模灵敏放大器，其特征在于，所述反馈钳位电路包括：第一反相器、第二NMOS管和第一NMOS管，

所述第一反相器的输入端与所述第二NMOS管的源极相连接，输出端与所述第二NMOS管的栅极相连接；所述第二NMOS管的漏极为所述反馈钳位电路的输出端，源极为所述反馈钳位电路的输入端且与所述存储单元浮栅管的漏极相连接；所述第一NMOS管的漏极与供能电源相连接，栅极输入一预充电信号，以控制所述存储单元浮栅管的漏极快速充电到钳位电位，源极与所述第二NMOS管的源极相连接。

4.根据权利要求1或2所述的电流模灵敏放大器，其特征在于，所述电流比较放大器包括：

第一PMOS管、第二PMOS管、第三NMOS管和第八NMOS管，

所述第一PMOS管的漏极为所述电流比较放大器的同相输入端，源极与供电电源相连接，栅极与自身漏极相连接；所述第二PMOS管的栅极与所述第一PMOS管的栅极连接在一起，源极与供电电源相连接，漏极与第三NMOS管的漏极相连接；所述第一PMOS管和所述第二PMOS管构成电流镜像电路，将所述第一PMOS管漏极获取的电流信号镜像到所述第二PMOS管的漏极；

所述第八NMOS管的漏极为所述电流比较放大器的反相输入端，与参考存储单元相连接，获取参考存储单元中流出的电流，所述第八NMOS管的源极接地，栅极与自身的漏极相连接；所述第三NMOS管的栅极与所述第八NMOS管的栅极相连接，构成电流镜像电路，用于将所述第八NMOS管漏极获得的电流镜像到所述第三NMOS管的漏极，所述第三NMOS管的源极接地，漏极与所述第二PMOS管的漏极相连接，连接点为公共点A，用于在公共点A处比较所述第二PMOS管的漏极电流和所述第三NMOS管的漏极电流，并通过公共点A输出比较结果；

所述公共点A与地之间存在一等效寄生电容，用于跟随所述比较结果进行充放电，当所述第二PMOS管的漏极电流大于所述第三NMOS管的漏极电流时，所述寄生电容进行充电，当所述第二PMOS管的漏极电流小于所述第三NMOS管的漏极电流时，所述寄生电容进行放电。

5.根据权利要求4所述的电流灵敏放大器，其特征在于，所述加速响应电路包括：第三PMOS管、第四PMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管和第四反相器，

所述第三PMOS管的漏极与所述公共点A相连接，源极与所述供能电源相连接，栅极与第四PMOS管的漏极相连接；

所述第四PMOS管的栅极与所述第二PMOS管的漏极相连接，源极与供电电源相连接；

所述第七NMOS管的漏极与所述第三PMOS管的漏极相连接，源极接地，栅极与所述第四反相器的输入端相连接；

所述第四反相器的输出端与所述第六NMOS管的栅极相连接；

所述第六NMOS管的漏极与一电流源相连接，源极与所述第五NMOS管的栅极及所述第五NOMS管的漏极相连接；

所述第五NMOS管的栅极还与所述第四NMOS管的栅极相连接，所述第五NOMS管的源极接地，所述第五NMOS管与所述第四NMOS管构成电流镜像电路；

所述第四NMOS管的源极接地，漏极与所述第三PMOS管的栅极相连接。

6.根据权利要求2所述的电流灵敏放大器，其特征在于，所述输出整形电路包括：第二反相器和第三反相器，

所述第二反相器的输入端为所述输出整形电路的输入端，所述第二反相器的输出端与所述第三反相器的输入端相连接，所述第三反相器的输出端为所述输出整形电路的输出端。