[发明专利]检测读取速度受到干扰的方法和检测编程干扰的方法

说明书

技术领域

本发明涉及存储器信息读取和存储领域，特别是涉及检测存储单元读取速度受到干扰的方法和检测编程时产生干扰的方法。

背景技术

整个闪存存储器的核心是存储单元构成的阵列，阵列中存储单元信息的读取方法参见图1，存储单元以普通MOS管为例，每个存储单元(cell)有三个端口，其中一个是控制端口，相当于普通MOS管的栅极，其余两个端口相当于普通MOS管的源极和漏极。存储单元的控制端口连接字线，并且阵列中同一行存储单元的控制端口连接同一字线WL1，字线电位高低实现对存储单元的开启和关断。存储阵列中同一行存储单元的源极和漏极顺次首尾相连，相邻的两个存储单元的源极和漏极连接在一根位线上。当存储单元处于开启状态时，等效为一个电阻；当存储单元所存储的信息为“0”或为“1”时，其电阻值不同。因此，为了读取存储单元中存储的信息，需要在被读取存储单元的两端施加电位差，读取流过存储单元的电流就可以读取存储单元中的存储信息。

通常读取存储单元中的信息时，以读取图1中存储单元cell2为例，字线WL1电平为高后存储单元cell2开启，位线选通装置选通存储单元cell2源极和漏极相连接的两条位线BLa和BLa+1，使位线BLa和BLa+1分别连接低电平产生电路和电流读取电路，在位线BLa和BLa+1分别施加低电压和高电压，存储单元cell2两端的电势差导致流过存储单元的电流Ibit，流过存储单元cell2的电流值记为Ibit。读取电流I由电流读取电路读出，读取电路读出的读取电流值记为I，当I＝Ibit时，这个读出的电流值反映存储单元中存储的信息。

但是，在对存储单元cell2进行读取操作的过程中，只在位线BLa和BLa+1上分别施加低电压和高电压，在与位线BLa相邻的位线BLa-1上没有施加电压。在进行存储单元cell2读取操作之前的若干读取周期过程中，与施加低电压的位线BLa相邻的位线BLa-1由于曾被施加过读取信号，会有残留正电荷留在位线BLa-1上，在低电平产生电路和电流读取电路工作的瞬间，在存储单元cell1的源极和漏极两端产生电势差，会在存储单元cell1上产生泄露电流Ileak1，只要泄露电流Ileak1存在就会有电荷不断补充到位线BLa上，直到残留电荷全部泄漏完毕，BLa才能达到满足读取cell2操作的低电压值，此时的读取操作结果才能有效。所以残留电荷和泄漏电流的存在使得读取操作的结果不能立刻获得，这就降低了读取操作的速度。目前，对存储单元cell2进行读取操作的过程中，只关注这个单元的读取情况，而对其周围存储单元(例如cell0、cell1、cell3、cell4)在此过程中对读取操作速度的影响并不清楚。

发明内容

本发明解决了检测存储单元读取过程中读取速度是否受到干扰，以及检测存储单元编程过程中对相邻单元是否干扰的问题。

为达到上述目的，本发明提供了一种检测读取速度受到干扰的方法，包括：

选通被读取存储单元的字线；选通存储阵列的至少三根连续位线，其中

在所述被读取存储单元的一根位线施加第一读取电压，另一根位线施加第二读取电压，所述第二读取电压高于第一读取电压；

测量与所述被读取存储单元施加第一读取电压的位线相邻的位线的电压；

计算流过与所述被读取存储单元相邻的存储单元的泄露电流，所述相邻的存储单元与所述被读取存储单元共用施加第一读取电压的位线；

判断所述泄露电流是否大于预设电流值，如果是，信息读取速度受到所述泄露电流干扰；如果否，信息读取速度不受所述泄露电流干扰。

相应地，本发明还提供一种检测编程干扰的方法，包括：

选通被编程存储单元的字线；选通存储阵列的至少三根连续位线，其中

在所述被编程存储单元的一根位线施加第一编程电压，另一根位线施加第二编程电压；

测量与所述被编程存储单元施加第一编程电压的位线相邻的位线的电压；

计算流过与所述被编程存储单元相邻的存储单元的泄露电流，所述相邻的存储单元与所述被编程存储单元共用施加第一编程电压的位线；

判断所述泄露电流是否大于预设电流值，如果是，所述相邻的存储单元中存储信息受到编程干扰；如果否，所述相邻的存储单元中存储信息不受编程干扰。

与现有技术相比，本发明具有下列优点：