[发明专利]化学机械研磨中的清洗系统的清洗方法有效
| 申请号： | 201110391415.2 | 申请日： | 2011-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102522321A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 白英英;毛智彪;张守龙;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 宋晓宝;郭晓东 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化学 机械 研磨 中的 清洗 系统 方法 | ||
1.一种化学机械研磨中的清洗系统的清洗方法，其特征在于，包括：
第一步骤，使两片晶片在清洗室中相隔规定的距离竖直放置，并排排列；
第二步骤，使位于并排排列的两片晶片两侧的两个喷雾装置的喷头移动至与所述两片晶片相对应的位置，喷出雾状的清洗剂，对各个晶片的正面和背面中的一个面进行清洗；
第三步骤，在对各个晶片中的一个面进行清洗之后，交换两片晶片的位置，使没有被清洗的另一个面与所述喷雾装置的喷头相对应；
第四步骤，在交换了两片晶片的位置之后，使喷雾装置的喷头喷出雾状的清洗剂，对各个晶片的正面和背面中的另一个面进行清洗。
2.如权利要求1所述的化学机械研磨中的清洗系统的清洗方法，其特征在于，所述喷雾装置具有气体入口、清洗液入口以及喷头，通过从气体入口导入的气体使来自清洗液入口的清洗液雾化来形成清洗液的喷雾。
3.如权利要求2所述的化学机械研磨中的清洗系统的清洗方法，其特征在于，在两个晶片之间设置有喷气装置，在对各个晶片的一个面进行清洗时，从所述喷气装置的双向喷头向各个晶片的另一面喷气。
4.如权利要求1至3中任一项所述的化学机械研磨中的清洗系统的清洗方法，其特征在于，首先对各个晶片的背面进行清洗，然后对各个晶片的正面进行清洗。
5.如权利要求1至3中任一项所述的化学机械研磨中的清洗系统的清洗方法，其特征在于，在清洗过程中使晶片进行旋转。
6.如权利要求1至3中任一项所述的化学机械研磨中的清洗系统的清洗方法，其特征在于，在清洗过程中使喷头沿着晶片竖直放置的方向移动。
7.如权利要求1至3中任一项所述的化学机械研磨中的清洗系统的清洗方法，其特征在于，使喷头朝向与垂直于晶片的方向形成角度的方向喷出喷雾。
8.如权利要求1至3中任一项所述的化学机械研磨中的清洗系统的清洗方法，其特征在于，从气体入口导入的气体为氮气或稀有气体。
9.如权利要求3所述的化学机械研磨中的清洗系统的清洗方法，其特征在于，双向喷头喷出的气体为氮气或稀有气体。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
