[发明专利]一种存储阵列单元信息读取方法及系统

权利要求书

1.一种存储阵列单元信息读取方法，其特征在于，包括：

选通被读取存储单元的字线；选通存储阵列的多根连续位线，其中

在所述被读取存储单元的一根位线施加第一读取电压，另一根位线施加第二读取电压，所述第二读取电压高于第一读取电压；与所述被读取存储单元施加第一读取电压的位线相邻的位线施加与所述第一读取电压相等的电压；一根位线只能施加一次电压；

比较被读取存储单元上产生的电流与预设电流值确定所述被读取存储单元的存储信息。

2.根据权利要求1所述的存储阵列单元信息读取方法，其特征在于，所述多根连续位线中，与所述被读取存储单元施加第二读取电压的位线相邻至少一根连续位线施加与所述第二读取电压相等的电压。

3.根据权利要求2所述的存储阵列单元信息读取方法，其特征在于，所述与所述被读取存储单元施加第二读取电压的位线相邻至少一根连续位线施加与所述第二读取电压相等的电压为：

所述第二读取电压从运算放大器的同相输入端输入，经过运算放大器运算后为连接在运算放大器的输出端的所述位线施加与所述第二读取电压相等的电压；所述运算放大器的反向输入端连接在输出端。

4.根据权利要求1、2或3所述的存储阵列单元信息读取方法，其特征在于，所述在所述被读取存储单元的一根位线施加第一读取电压为：

控制信号控制源极接地的MOS晶体管的源极和漏极导通为连接在漏极的被读取存储单元的位线施加低电压。

5.根据权利要求4所述的存储阵列单元信息读取方法，其特征在于，所述与所述被读取存储单元施加第一读取电压的位线相邻的位线施加与所述第一读取电压相等的电压为：

所述控制信号控制源极接地的MOS晶体管的源极和漏极导通为连接在漏极的与所述被读取存储单元施加第一读取电压的位线相邻的位线施加第一读取电压。

6.根据权利要求1、2或3所述的存储阵列单元信息读取方法，其特征在于，所述选通存储阵列的多根连续位线具体为：

多个选通控制信号控制多个MOS晶体管导通，其中，一个选通控制信号控制一个MOS晶体管的源极和漏极导通，使连接在一个MOS晶体管的源极的连续多根位线中的一根位线施加连接在漏极的所述第一读取电压或第二读取电压。

7.根据权利要求1、2或3所述的存储阵列单元信息读取方法，其特征在于，所述在所述被读取存储单元的另一根位线施加第一读取电压为：

输入电压经过包括2个PMOS晶体管的电流镜的一支后被包含反相器和MOS晶体管的反馈电路在输出端将电压钳位为所述第二读取电压，并将所述第二读取电压施加在所述被读取存储单元的另一根位线。

8.根据权利要求7所述的存储阵列单元信息读取方法，其特征在于，所述比较被读取存储单元上产生的电流与预设电流值确定所述被读取存储单元的存储信息为：

读取在被读取存储单元施加第二读取电压的位线的读取电流；

被读取存储单元上产生的电流在所述电流镜的另一支产生镜像电流；

所述镜像电流与预设电流值进行比较，经过包含反相器的判决电路判决得到所述被读取存储单元的存储信息。

9.一种存储阵列单元信息读取系统，包括存储单元阵列、电流读取电路、位线选通装置和字线选通装置，其特征在于，还包括第一低电平产生电路和第二低电平产生电路，

所述第一低电平产生电路和第二低电平产生电路提供相同的电压，低于于所述电流读取电路产生的电压；所述低电平产生电路与电流读取电路同步工作；

所述字线选通装置选通被读取存储单元的字线；所述位线选通装置根据位线选通控制信号同时选通所述存储阵列的多根连续位线；

所述第一低电平产生电路通过位线选通装置与被读取存储阵列单元的一根位线连接；所述电流读取电路通过位线选通装置与被读取存储阵列单元的另一根位线连接；所述第二低电平产生电路通过位线选通装置与所述被读取存储单元连接第一低电平产生电路的位线相邻的位线连接。

10.根据权利要求9所述的存储阵列单元信息读取系统，其特征在于，所述存储阵列单元信息读取系统还包括至少一个电压跟随电路，所述电压跟随电路与所述被读取存储单元连接电流读取电路的位线相邻的至少一根连续位线连接。