[发明专利]过压检测电路有效
申请号: | 201110391552.6 | 申请日: | 2011-11-30 |
公开(公告)号: | CN102435820A | 公开(公告)日: | 2012-05-02 |
发明(设计)人: | 龙爽;陈岚;陈巍巍;杨诗洋;雷镇海 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | G01R19/00 | 分类号: | G01R19/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 逯长明 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 检测 电路 | ||
技术领域
本申请涉及电压检测技术领域,特别是涉及过压检测电路。
背景技术
过压检测电路是当输入电压超过预设电压时产生输出信号的电路。传统的过压检测电路由比较器和采样电阻组成,比较器为模拟电路,其噪声耐受能力比较弱,如果过压检测电路工作在大噪声环境下,且在比较器翻转阈值点附近检测信号时,若比较器速度足够快,快到能响应噪声,且噪声也比较大的情况下,输出端会产生较大的噪声,即输出端的输出信号会在高低电平之间无序跳动,过压检测电路的功耗也会明显增大。
发明内容
为解决上述技术问题,本申请实施例提供一种过压检测电路,以解决现有的过压检测电路噪声大、功耗大的问题,技术方案如下:
一种过压检测电路,包括:电压采样电路、置位电路、判决电路、第一控制开关、第二控制开关、第三控制开关、第一压控电流产生单元及第二电流产生单元,
所述电压采样电路的输入端输入有输入电压,输出端连接所述第一控制开关的第一端,用于获得输入电压采样信号;
所述第一控制开关的第二端连接所述第一压控电流产生单元的控制端,第一控制开关的控制端输入控制信号;
所述第一压控电流产生单元的正极连接所述第二控制开关的第一端,负极连接接地端;
所述第二控制开关的第二端通过所述第三控制开关连接所述第二电流产生单元的负极,其中,所述第三控制开关的第二端连接所述第二电流产生单元的负极,第一端连接所述第二控制开关的第二端,第二电流产生单元的正极连接直流电源,所述第三控制开关的控制端输入所述控制信号;
所述置位电路连接所述第三控制开关的第一端,控制端连接所述控制信号,用于在所述控制信号控制该置位电路开启时提高该第一端的电位;
所述判决电路一端连接所诉第三控制开关的第一端,另一端连接所述第二控制开关的控制端,用于控制所述第二控制开关的工作状态,且该另一端作为该过压检测电路的输出端输出相应的信号,控制端输入所述控制信号,该判决电路用于在检测到所述电压采样电路采集到的输入电压采样信号大于预设值时,产生低电平信号,且控制所述第二控制开关断开。
优选的,所述电压采样电路包括:第一分压电阻和第二分压电阻,所述第一分压电阻的一端作为该电压采样电路的输入端输入所述输入电压,另一端与所述第二分压电阻的一端相连,且该另一端作为该电压采样电路的输出端,所述第二分压电阻的另一端连接接地端。
优选的,所述置位电路包括:第一开关管,该第一开关管的第一端连接所述第三控制开关的第一端,第二端连接所述直流电源,控制端输入所述控制信号。
优选的,所述判决电路包括:第一反相器、第一或非门、第二或非门和第二反相器,其中,
所述第一反相器的输入端连接所述第三控制开关的第一端,输出端连接所述第一或非门的第一输入端;
所述第一或非门的输出端连接所述第二或非门的第一输入端,输出端连接所述第二反相器的输入端,且该输出端连接所述第一或非门的第二输入端;所述第二或非门的第二输入端作为该判决电路的控制端输入所述控制信号;
所述第二反相器的输出端连接所述第二控制开关的控制端。
优选的,所述第一压控电流产生单元为:第二开关管,第一端连接接地端,第二端连接所述第二控制开关的第一端,控制端连接所述第一控制开关的第二端。
优选的,所述第二电流产生单元为:第三开关管,所述第三开关管的第一端连接所述第三控制开关的第二端,所述第三开关管的第二端连接所述直流电源,控制端连接所述直流电源。
优选的,所述第一控制开关为:第四开关管,第一端连接所述电压采样电路的输出端,第二端连接所述第一压控电流产生单元的控制端,控制端输入所述控制信号。
优选的,所述第二控制开关为:第五开关管,第一端连接所述第一压控电流产生单元的正极,第二端连接所述第三控制开关的第一端,控制端连接所述判决电路的输出端。
优选的,所述第三控制开关包括:第三反相器和第六开关管,其中,
所述第六开关管的第一端连接所述第二控制开关的第二端,第二端连接所述第二电流产生单元的负极,控制端与所述第三反相器的输出端相连,所述第三反相器的输入端输入所述控制信号。
优选的,所述第一开关管、第二开关管、第三开关管、第四开关管或第五开关管为N型金属半导体场效应管MOS管,第一端为源极、第二端为漏极、控制端为栅极;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所,未经中国科学院微电子研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110391552.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。