[发明专利]一种多层金属-氧化硅-金属电容的制作方法有效
| 申请号： | 201110391732.4 | 申请日： | 2011-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102394215A | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 毛智彪;胡友存;徐强 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多层 金属 氧化 电容 制作方法 | ||
1.一种多层金属-氧化硅-金属电容的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1，提供衬底；
步骤2，在上述结构表面沉积低k值介质层；
步骤3，通过光刻和刻蚀在所述低k值介质层中形成贯穿所述低k值介质层的一开口；
步骤4，在开口内通过等离子增强型化学气相沉积和含氧气体处理两步循环的方式形成氧化硅；
步骤5，通过光刻和刻蚀在低k值介质层和氧化硅中分别形成金属槽；
步骤6，在金属槽内填充金属；
重复步骤2～步骤6。
2.如权利要求1所述的多层金属-氧化硅-金属电容的制作方法，其特征在于，所述等离子增强型化学气相沉积采用的反应气体包括硅烷和一氧化二氮。
3.如权利要求2所述的多层金属-氧化硅-金属电容的制作方法，其特征在于，所述硅烷的流量在500sccm至600sccm之间，所述一氧化二氮的流量在9000sccm至15000sccm之间，硅烷与一氧化二氮的流量比为1∶15至1∶30，成膜速率在1500纳米/分钟至5000纳米/分钟之间。
4.如权利要求1所述的多层金属-氧化硅-金属电容的制作方法，其特征在于，所述含氧气体处理所采用的含氧气体包括一氧化氮、一氧化二氮、一氧化碳或二氧化碳。
5.如权利要求1所述的多层金属-氧化硅-金属电容的制作方法，其特征在于，所述含氧气体处理所采用的含氧气体流量在2000sccm至6000sccm之间，处理温度在300摄氏度至600摄氏度之间。
6.如权利要求1所述的多层金属-氧化硅-金属电容的制作方法，其特征在于，所述通过等离子增强型化学气相沉积和含氧气体处理两步循环的方式形成氧化硅的过程中，每次沉积的氧化硅厚度为1纳米至10纳米。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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