[发明专利]一种太阳能电池三层复合钝化减反层及制备方法

权利要求书

1.一种太阳能电池三层复合钝化减反层，其特征在于，在硅太阳能电池基底上用原子层沉积方法制备一种三层复合钝化减反层，三层复合钝化减反层的结构从基底自下而上，分别为二氧化钛（TiO₂）层、二氧化钛/二氧化硅（TiO₂ /SiO₂）层、二氧化硅（SiO₂） 层。

2.根据权利要求1所述一种太阳能电池三层复合钝化减反层，其特征在于，所述三层复合钝化减反层厚度为75～120nm ，二氧化钛层厚度为30～50nm，二氧化钛/二氧化硅层厚度为10～20nm，二氧化硅层厚度为40～60nm。

3.根据权利要求1，或2所述一种太阳能电池三层复合钝化减反层的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

（1）将太阳能电池硅片衬底预处理并放入原子层沉积反应室，将反应室工作气压调至500Pa～1500Pa，优选工作气压1000Pa；

（2）将反应室温度加热至200℃～400℃，优选200℃～250℃，利用水和四氯化钛（TiCl4）为前驱源，沉积二氧化钛层；

（3）将反应室温度加热至200??C～400℃，优选250℃～300℃，利用四氯化钛为钛前驱源，利用四氯化硅（SiCl₄），或六氯二硅烷（Si₂Cl₆）为硅前驱源，利用水为反应气体制备二氧化钛/二氧化硅复合层；

（4）将反应室温度加热至200℃～400℃，优选300℃～350℃，利用四氯化硅或六氯二硅烷为S硅前驱源，利用水为反应气体，沉积二氧化硅层。