[发明专利]一种电源管理电路

说明书

【技术领域】

本发明涉及电源设计领域，特别是涉及一种电源管理电路。

【背景技术】

对于集成多路电源通道的电源管理芯片，可能面临对多路电源管理分别修调，以保证每路输出电压都达到高精度。请参考图1所示，其为现有技术中具有多路电源通道的电源管理电路的电路示意图。所述电源管理电路中的每个电源通路采用一个独立的带隙基准电路。所述电源管理电路包括第一路电源通道和第二路电源通道，其中第一路电源通道和第二路电源通道的电路结构相似。以第一电源通路为例，其包括带隙基准电路Bandgap1、可修调电阻串110、低压差电压调节器LDO(Low DropOut Regulator)1。所述可修调电阻串110的一端与带隙基准电路Bandgap1的输出端和低压差电压调节器LDO1的输入端连接的节点相连，其另一端接地。其中所述带隙基准电路Bandgap1产生基准电流，该电流在电阻串110上产生基准电压VR1，低压差电压调节器LDO1根据所述基准电压VR1输出驱动能力很强的电源输出电压VO1。根据每路电源通道的输出电压所需精度不同，对修调位数即修调单元个数的需求也不同。例如，如果每路电源通道的输出电压VO所需精度为+/-2％，则对于标准CMOS工艺而言，为了将大多数芯片都校准到该精度，则通常需要五位修调位，即对应五个修调单元。在图1中的第一电源通道中的可修调电阻串110包括依次串联的电阻R1a、修调电阻R11、修调电阻R12、修调电阻R13、修调电阻R14和修调电阻R15，以及与修调电阻R11、修调电阻R12、修调电阻R13、修调电阻R14和修调电阻R15分别并联的熔丝F11、熔丝F12、熔丝F13、熔丝F14和熔丝F15，其中熔丝F11、熔丝F12、熔丝F13、熔丝F14和熔丝F15为修调单元。在晶圆测试时，测量电源输出电压VO1的电压值，计算与目标值的差异，然后对熔丝F11至F15进行选择性熔断，熔断熔丝会导致可修调电阻串110电阻值增加，从而导致参考电压VR1增加，进而实现对VO1电压的校准(或者修调)。其他电源通道的修调过程与此相似。这种方法设计简单，只需简单复制电路即可实现。

但是，由于每路电源通道都需要很多修调单元和很多用于修调的压点。这些压点在版图中与用封装键合金线的压焊点结构相似，但通常其面积较压焊点小，在晶圆测试时采用探针接触它们，然后在两个相邻的修调压点之间施加一定电压并产生大电流，从而将熔丝烧断，产生修调效果。由于多路电源通道要分别修调，导致集成多路电源通道的电源管理芯片所需要的总修调压点相当多，而测试环境通常要求封装键合的压焊点和修调压点都需布置在芯片四周的边缘上，以免测试时移动探针导致将芯片划伤，影响良率。但当所需压焊点和修调压点数目太多时，可能导致所需的所有压点和压焊点无法全部布置在芯片的边缘上，这种现象在多路输出电源管理芯片中很严重。

因此，有必要提出一种改进的技术方案来解决上述问题。

【发明内容】

本发明的目的在于提供一种电源管理电路，其可以减少需要的修调单元和用于修调的压点。

为了实现上述目的，本发明提出一种电源管理电路，其包括：可修调参考电压产生电路和若干可修调电源转换电路，所述可修调参考电压产生电路产生参考电压，所述可修调参考电压产生电路包括有第一修调单元，其通过其内的第一修调单元对所述参考电压进行修调；每个可修调电源转换电路基于所述参考电压产生输出电压，每个可修调电源转换电路包括有第二修调单元，其通过其内的第二修调单元对所述输出电压进行修调。

在一个进一步的实施例中，所述可修调参考电压产生电路包括参考电压产生电路、第一可修调分压电路和运算放大器，所述参考电压产生电路产生基准电压；第一可修调分压电路对所述基准电压进行分压并输出第一分压电压，所述第一修调单元位于第一可修调分压电路内，第一可修调分压电路通过其内的第一修调单元对该第一分压电压进行修调；所述运算放大器的一个输入端接所述第一分压电压，另一个输入端接其输出端，所述输出端输出所述参考电压。

在一个进一步的实施例中，第一可修调分压电路包括串联在所述基准电压和地之间的第一修调电阻、两个第一分压电阻，两个第一分压电阻之间的节点提供所述第一分压电压，所述第一修调电阻与第一修调单元并联。