[发明专利]晶片衬底结合结构、发光器件和用于制造发光器件的方法

权利要求书

1.一种晶片衬底结合结构，包括：

第一衬底；以及

导电薄膜，所述导电薄膜设置在所述第一衬底上并且包括树脂和在所述树脂中包括的导电微粒。

2.根据权利要求1所述的晶片衬底结合结构，进一步包括：

第二衬底，所述第二衬底设置在所述导电薄膜上并且具有与所述第一衬底的热膨胀系数不同的热膨胀系数。

3.根据权利要求1所述的晶片衬底结合结构，其中，

所述导电微粒分布在所述树脂的表面上或者所述树脂中，并且其中所述导电微粒的表面由Au-Sn、Au或者Ni中的至少一种来形成。

4.根据权利要求1所述的晶片衬底结合结构，其中，

所述第一衬底是n型半导体衬底，并且其中，当所述第一衬底的功函数是“fs”并且组成所述导电微粒的表面的金属的功函数是“fm”时，“fm”＜“fs”的关系被建立。

5.根据权利要求1所述的晶片衬底结合结构，其中，

所述第一衬底是p型半导体衬底，

并且其中，当所述第一衬底的功函数是“fs”并且组成所述导电微粒的表面的金属的功函数是“fm”时，“fm”＞“fs”的关系被建立。

6.根据权利要求1至5中的任何一项所述的晶片衬底结合结构，进一步包括：

第一金属层，所述第一金属层形成在所述第一衬底和所述导电薄膜之间。

7.根据权利要求6所述的晶片衬底结合结构，进一步包括：

第二金属层，所述第二金属层形成在所述第一衬底下方。

8.根据权利要求7所述的晶片衬底结合结构，进一步包括：

通电部，所述通电部穿透所述第一衬底的至少一部分并且将所述第一金属层与所述第二金属层电连接。

9.根据权利要求1至5中的任何一项所述的晶片衬底结合结构，其中，

所述第一衬底是导电衬底、非导电衬底或者半导体衬底中的一种。

10.一种发光器件，包括：

晶片衬底结合结构，所述晶片衬底结合结构包括导电薄膜，所述导电薄膜设置在衬底上并且包括树脂和导电微粒；

发光结构，所述发光结构包括第一半导体层、有源层以及第二半导体层，所述第一半导体层、有源层以及第二半导体层都设置在所述晶片衬底结合结构上；以及

电极层，所述电极层设置在所述发光结构上。

11.根据权利要求10所述的发光器件，进一步包括：

反射层，所述反射层设置在所述发光结构和所述晶片衬底结合结构之间并且反射从所述发光结构产生的光。

12.根据权利要求11所述的发光器件，进一步包括：

第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述反射层上并且将所述发光结构与所述反射层绝缘。

13.根据权利要求11所述的发光器件，其中，

所述反射层具有比外围部分厚的中心部分。

14.根据权利要求10至13中的任何一项所述的发光器件，进一步包括：

欧姆层，所述欧姆层设置在所述晶片衬底结合结构和所述发光结构之间并且将所述晶片衬底结合结构与所述发光结构电连接。

15.根据权利要求14所述的发光器件，其中，

所述晶片衬底结合结构和所述发光结构被设置成使得所述导电薄膜接触所述第二半导体层并且其间放置有所述欧姆层。

16.根据权利要求15所述的发光器件，其中，

所述电极层接触所述第一半导体层。

17.根据权利要求16所述的发光器件，其中，

纹理结构形成在所述第一半导体层的两侧之中的接触所述电极层的侧上。

18.根据权利要求10至13中的任何一项所述的发光器件，进一步包括：

第二绝缘层，所述第二绝缘层设置在所述发光结构的横向表面和上或下部分的至少一部分上。