[发明专利]固态摄像器件的制造方法、固态摄像器件和电子装置无效
申请号: | 201110392695.9 | 申请日: | 2011-12-01 |
公开(公告)号: | CN102569313A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 太田一生;吉原郁夫 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 武玉琴;陈桂香 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 摄像 器件 制造 方法 电子 装置 | ||
1.一种固态摄像器件的制造方法,其包括以下步骤:
在第一基板上形成半导体薄膜,所述半导体薄膜用作光电转换部;
在第二基板的表面侧上形成驱动电路;
通过将所述第一基板和所述第二基板彼此相对地布置来层叠所述第一基板和所述第二基板,使得所述半导体薄膜连接到所述驱动电路;以及
从所述半导体薄膜移除所述第一基板,使得所述半导体薄膜保留在所述第二基板一侧上。
2.如权利要求1所述的方法,其中,在所述半导体薄膜的所述形成步骤中,在具有单晶材料的所述第一基板上通过外延生长形成所述半导体薄膜。
3.如权利要求2所述的方法,其中,
在所述层叠步骤之前,在所述半导体薄膜中形成隔离区域,以将所述半导体薄膜隔离成多个所述光电转换部,且
在所述层叠步骤中,将隔离的各个所述光电转换部连接到所述驱动电路。
4.如权利要求3所述的方法,其中,
在所述半导体薄膜的所述形成步骤之后,在所述半导体薄膜上形成像素电极,且
在所述层叠步骤中,通过所述像素电极将各个所述驱动电路连接到所述半导体薄膜。
5.如权利要求4所述的方法,其中,在隔离的各个所述光电转换部上,形成一个覆盖所述光电转换部的整个表面的所述像素电极。
6.如权利要求1-5中任一权利要求所述的方法,其中,在所述第一基板的所述移除步骤之后,在所述半导体薄膜的上侧形成保护膜。
7.如权利要求6所述的方法,其中,将具有固定电荷的材料膜形成为所述保护膜。
8.如权利要求7所述的方法,其中,将透明电极形成为所述具有固定电荷的材料膜。
9.如权利要求1所述的方法,其中,将全局快门电路形成为所述驱动电路。
10.一种固态摄像器件,其包括:
驱动电路,其形成在基板的表面侧上;和
光电转换部,其包括半导体薄膜,所述半导体薄膜在设有所述驱动电路的所述基板上层叠成与所述驱动电路相连接,
其中,所述半导体薄膜是通过成膜过程获得。
11.一种电子装置,其包括:
固态摄像器件;
光学系统,其用于将入射光引导至所述固态摄像器件的摄像区域;和
信号处理电路,其用于处理所述固态摄像器件的输出信号,
其中,所述固态摄像器件包括:
驱动电路,其以阵列状态形成在基板的表面侧上;及
光电转换部,其包括半导体薄膜,所述半导体薄膜在连接到所述驱动电路的状态下层叠在设有所述驱动电路的所述基板上,所述半导体薄膜是通过成膜过程获得。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的