[发明专利]半导体芯片、半导体封装件以及半导体芯片的制造方法

权利要求书

1.一种半导体芯片，包括：

基板，具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面；

芯片焊盘，设置在所述基板的所述第一表面上；以及

贯穿硅通路，包括在不同的位置处电连接到所述芯片焊盘的多个子通路。

2.如权利要求1所述的半导体芯片，其中所述多个子通路的至少之一从所述基板的所述第二表面突出。

3.如权利要求2所述的半导体芯片，其中所述子通路的至少之一的横截面面积从所述第一表面和所述第二表面朝向所述基板的中心部分逐渐增加，所述子通路在所述子通路的至少之一的最宽处电连接在一起。

4.如权利要求2所述的半导体芯片，其中所述子通路的至少之一包括横截面面积不变的柱部分以及横截面面积大于所述柱部分的所述横截面面积的凸起部分，所述子通路在所述凸起部分处电连接在一起。

5.如权利要求2所述的半导体芯片，其中所述子通路的至少之一的横截面面积从所述基板的所述第一表面至所述第二表面逐渐增加。

6.如权利要求2所述的半导体芯片，其中所述子通路由导电材料形成，所述导电材料包括金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、镍(Ni)、钨(W)、钛(Ti)、铂(Pt)、钯(Pd)、锡(Sn)、铅(Pb)、锌(Zn)、铟(In)、镉(Cd)、铬(Cr)、钼(Mo)和有机材料中的一种或更多种。

7.如权利要求1所述的半导体芯片，其中所述子通路包括贯穿硅通路和盲通路，所述贯穿硅通路和所述盲通路通过所述基板内的微型通道电连接在一起。

8.如权利要求1所述的半导体芯片，其中所述多个子通路直接物理地连接到所述芯片焊盘。

9.一种半导体封装件，包括：

至少一个半导体芯片，所述至少一个半导体芯片包括：

基板，具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面；

芯片焊盘，设置在所述基板的所述第一表面上；以及

贯穿硅通路，包括在不同的位置处电连接到所述芯片焊盘的多个子通路。

10.一种半导体芯片的制造方法，所述方法包括：

形成彼此隔开且从基板的第一表面到第二表面定向的多个开口；

扩充所述开口使其侧面打开到相邻的开口；以及

用导电材料填充所述开口。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述形成彼此隔开的多个开口通过各向异性蚀刻工艺进行。

12.如权利要求10所述的方法，其中所述扩充所述开口通过各向同性蚀刻工艺进行。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述各向同性蚀刻工艺通过湿蚀刻工艺进行。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述湿蚀刻工艺采用缓冲的氢氟酸溶液或将硝酸和氟酸与水或醋酸混合的蚀刻溶液进行。

15.如权利要求12所述的方法，其中所述各向同性蚀刻工艺是采用含氟的气体的干蚀刻工艺。

16.如权利要求10所述的方法，还包括在用所述导电材料填充所述开口前在所述开口的表面上形成绝缘层。

17.如权利要求10所述的方法，还包括在用所述导电材料填充所述开口前在所述开口的表面上形成种子金属层。

18.如权利要求17所述的方法，其中在所述开口的表面上形成所述种子金属层通过无电镀工艺进行。

19.如权利要求10所述的方法，其中用所述导电材料填充所述开口由真空沉积工艺、溅射工艺、化学气相沉积工艺、无电镀工艺、电镀工艺、点胶工艺和丝网印刷工艺之一进行。