[发明专利]流量传感器的制造方法无效
| 申请号： | 201110393894.1 | 申请日： | 2011-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN102515087A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 张挺;薛维佳;谢志峰 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 流量传感器 制造 方法 | ||
1.一种流量传感器的制造方法，包括步骤：
制造或提供SOI基底，依次包括硅基底(101)、绝缘层(102)和表面硅层(103)；
在所述表面硅层(103)上淀积含金属的装置制造层(104)；
将所述装置制造层(104)作图形化，形成包括加热装置(105)、测温装置(106)和电极(107)；
在图形化的所述装置制造层(104)上淀积保护层(108)；
通过半导体光刻技术，在所述流量传感器的背面进行湿法腐蚀，直至露出所述绝缘层(102)，在所述硅基底(101)中形成背面空腔(109)；
对所述流量传感器进行封装。
2.根据权利要求1所述的流量传感器的制造方法，其特征在于，在所述硅基底(101)中形成背面空腔(109)之后还包括步骤：
将所述背面空腔(109)底部的所述绝缘层(102)去除。
3.根据权利要求1或2所述的流量传感器的制造方法，其特征在于，所述绝缘层(102)为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、DLC或者氧化铝。
4.根据权利要求3所述的流量传感器的制造方法，其特征在于，所述装置制造层(104)为单层或者多层的。
5.根据权利要求4所述的流量传感器的制造方法，其特征在于，所述装置制造层(104)中所含的金属材料包括铂及含铂材料。
6.根据权利要求5所述的流量传感器的制造方法，其特征在于，所述加热装置(105)和所述测温装置(106)的形状、布局、线条尺寸、厚度和圈数均是可调整的。
7.根据权利要求6所述的流量传感器的制造方法，其特征在于，所述保护层(108)为单层或者多层的。
8.根据权利要求7所述的流量传感器的制造方法，其特征在于，对所述流量传感器的背面进行湿法腐蚀的腐蚀溶液对于硅/绝缘层具有良好选择比。
9.根据权利要求8所述的流量传感器的制造方法，其特征在于，所述背面空腔(109)的形状和尺寸均是可调整的。
10.根据权利要求1所述的流量传感器的制造方法，其特征在于，所述SOI基底的所述表面硅层(103)为单晶硅或者多晶硅。
11.根据权利要求1或10所述的流量传感器的制造方法，其特征在于，所述SOI基底的制造方法包括如下步骤：
在所述硅基底(101)上沉积所述绝缘层(102)；以及
在所述绝缘层(102)上沉积单晶硅或者多晶硅，形成所述表面硅层(103)。
12.根据权利要求11所述的流量传感器的制造方法，其特征在于，所述硅基底(101)为多晶硅。
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