[发明专利]存储器件、存储器阵列及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器件，包括：

由n型半导体材料组成的下电极层；

位于下电极层上的阻变材料层；以及

位于阻变材料层上的由金属材料组成的上电极层。

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述n型半导体材料是重掺杂的n+硅。

3.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述阻变材料层由选自HfO₂、NiO、TiO₂、ZrO₂、ZnO、WO₃、Ta₂O₅、Al₂O₃、MoO_x、CeO_x、La₂O₃及其任意组合构成的组中的一种材料构成。

4.根据权利要求1所述的存储器件，还包括位于上电极层和阻变材料层之间的界面氧化层。

5.根据权利要求1所述的存储器件，所述存储器件具有单极阻变特性和自整流特性。

6.一种存储器阵列，包括相互交叉的多条位线和多条字线，以及多个根据权利要求1至5中任一项所述的存储器件，所述多个存储器件中的每一个位于每一条位线和每一条字线的交叉点处，并且所述存储器件的下电极层与位线相连接，上电极层与字线相连接。

7.根据权利要求6所述的存储器阵列，其中在访问选定的存储器件时，在与该选定的存储器件相对应的字线和位线之间施加正电压。

8.一种制造存储器件的方法，包括：

在半导体层中掺入n型掺杂剂，以形成下电极层；

在下电极层上淀积阻变材料，以形成阻变材料层；以及

在阻变材料层上淀积金属材料，以形成上电极层。

9.根据权利要求8所述的方法，在形成阻变材料层和上电极层的步骤之间还包括在阻变材料层中掺入三价金属离子。

10.根据权利要求8所述的方法，在形成上电极层之后还包括在惰性气体的保护下进行退火。