[发明专利]像素单元驱动电路和方法、像素单元以及显示装置有效
申请号: | 201110393996.3 | 申请日: | 2011-12-01 |
公开(公告)号: | CN102708791A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 谭文;祁小敬;胡理科;高永益 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G09G3/32 | 分类号: | G09G3/32 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;赵爱军 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 单元 驱动 电路 方法 以及 显示装置 | ||
1.一种像素单元驱动电路,用于驱动OLED,其特征在于,包括驱动薄膜晶体管、第一开关元件、存储电容和驱动控制单元;
所述存储电容,第一端与所述驱动薄膜晶体管的栅极连接,第二端与驱动电源的高电平输出端连接;
所述驱动薄膜晶体管的源极通过所述第一开关元件与数据线连接;
所述驱动薄膜晶体管,漏极通过所述驱动控制单元分别与所述OLED的阳极和所述驱动电源的低电平输出端连接,源极通过所述驱动控制单元与所述驱动电源的高电平输出端连接,栅极通过所述驱动控制单元与所述驱动薄膜晶体管的漏极连接;
所述驱动控制单元,用于通过控制所述存储电容充放电,以控制所述驱动薄膜晶体管工作于饱和区而所述驱动薄膜晶体管的栅源电压补偿Vth,其中,Vth为所述驱动薄膜晶体管的阈值电压。
2.如权利要求1所述的像素单元驱动电路,其特征在于,所述驱动薄膜晶体管是p型薄膜晶体管。
3.如权利要求2所述的像素单元驱动电路,其特征在于,
所述第一开关元件是p型薄膜晶体管;
所述第一开关元件,栅极与用于传输控制信号的扫描线连接,源极与数据线连接,漏极与所述驱动薄膜晶体管的源极连接。
4.如权利要求3所述的像素单元驱动电路,其特征在于,所述驱动控制单元包括第二开关元件、第三开关元件、第四开关元件和第五开关元件;
所述驱动薄膜晶体管的漏极和所述驱动电源的低电平输出端之间连接有所述第二开关元件;
所述驱动薄膜晶体管的栅极和所述驱动薄膜晶体管的漏极之间连接有所述第三开关元件;
所述驱动薄膜晶体管的漏极和所述OLED的阳极之间连接有第四开关元件;
所述驱动薄膜晶体管的源极和所述驱动电源的高电平输出端之间连接有所述第五开关元件。
5.如权利要求4所述的像素单元驱动电路,其特征在于,所述第二开关元件、所述第三开关元件、所述第四开关元件和所述第五开关元件为p型TFT;
所述第二开关元件,栅极与第一控制线连接,源极与所述驱动薄膜晶体管的漏极连接,漏极与所述驱动电源的低电平输出端连接;
所述第三开关元件,栅极与所述扫描线连接,源极与所述驱动薄膜晶体管的栅极连接,漏极与所述驱动薄膜晶体管的漏极连接;
所述第四开关元件,栅极与第二控制线连接,源极与所述驱动薄膜晶体管的漏极连接,漏极与所述OLED的阳极连接;
所述第五开关元件,栅极与所述第二控制线连接,源极与所述驱动电源的高电平输出端连接,漏极与所述驱动薄膜晶体管的源极连接。
6.一种像素单元驱动方法,其应用于如权利要求1所述的像素单元驱动电路,其特征在于,所述像素单元驱动方法包括:
像素充电步骤:驱动控制单元控制存储电容被充电;
像素放电步骤:驱动控制单元控制所述存储电容通过驱动薄膜晶体管放电,直至所述驱动薄膜晶体管的栅源电压为所述驱动薄膜晶体管的阈值电压Vth;
驱动OLED发光显示步骤:所述驱动控制单元控制所述驱动薄膜晶体管工作于饱和区,并控制所述存储电容两端的电压差值不变,以使得所述驱动薄膜晶体管的栅源电压补偿所述驱动薄膜晶体管的阈值电压Vth,通过所述驱动薄膜晶体管驱动OLED发光。
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