[发明专利]减少掩模板雾状缺陷的方法无效
| 申请号： | 201110394294.7 | 申请日： | 2011-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN102436137A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 周军 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/72 | 分类号： | G03F1/72;G03F1/82 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 董雅会;郭晓东 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 减少 模板 雾状 缺陷 方法 | ||
1.一种减少掩模板雾状缺陷的方法，在掩模板上通过铝框架覆盖有保护膜，其特征在于，在所述掩模板上覆盖所述保护膜之前，利用超纯水清洗所述掩模板。
2.如权利要求1所述的减少掩模板雾状缺陷的方法，其特征在于，所述超纯水中不含有硫酸盐及氨。
3.如权利要求1所述的减少掩模板雾状缺陷的方法，其特征在于，所述超纯水的杂质含量为ppb级。
4.一种减少掩模板雾状缺陷的方法，在掩模板上通过铝框架覆盖有保护膜，其特征在于，在将所述铝框架固定在所述掩模板上之前，以纯水作为电解液，通过电解在该铝框架的表面形成氧化铝保护层。
5.如权利要求4所述的减少掩模板雾状缺陷的方法，其特征在于，所述纯水的杂质含量为ppm级。
6.如权利要求4或5所述的减少掩模板雾状缺陷的方法，其特征在于，所述纯水的电阻率为2-10us/cm。
7.如权利要求4-6中任一项所述的减少掩模板雾状缺陷的方法，其特征在于，还包括如下步骤：在所述掩模板上覆盖所述保护膜之前，利用超纯水清洗所述掩模板。
8.如权利要求4-7中任一项所述的减少掩模板雾状缺陷的方法，其特征在于，在所述电解过程中，以所述铝框架作为阳极，以铂作为阴极。
9.如权利要求4-8中任一项所述的减少掩模板雾状缺陷的方法，其特征在于，
所述阳极的反应方程式为：2Al+3H2O→Al2O3+6H++6e-，
所述阴极的反应方程式为：6H++6e-→3H2。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
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