[发明专利]用于晶圆键合的装置及晶圆键合方法有效
申请号: | 201110394304.7 | 申请日: | 2011-12-02 |
公开(公告)号: | CN103137509A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 唐世弋 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/603 | 分类号: | H01L21/603 |
代理公司: | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人: | 王光辉 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 晶圆键合 装置 方法 | ||
1.一种用于晶圆键合的装置,其特征在于,包括:第一腔室,用于对准所述晶圆;第二腔室用于键合所述晶圆;第三腔室,用于冷却所述晶圆;第二腔室包括与第一腔室连接的第一接口和与第二腔室连接的第二接口;所述第一腔室和第三腔室均包括一与外界连接的接口。
2.如权利要求1所述的用于晶圆键合的装置,其特征在于,所述第一腔室包括一晶圆对准系统,一真空系统以及一传输系统。
3.如权利要求1所述的用于晶圆键合的装置,其特征在于,所述第二腔室包括一真空系统,一承载单元、一压力单元以及一温度控制系统。
4.如权利要求3所述的用于晶圆键合的装置,其特征在于,所述承载单元及压力单元的形状与所述晶圆一致。
5.如权利要求1所述的用于晶圆键合的装置,其特征在于,所述第三腔室包括一冷却系统,一真空系统以及一传输系统。
6.如权利要求2所述的用于晶圆键合的装置,其特征在于,所述晶圆对准系统包括对准夹具和至少一个探测器。
7.一种晶圆键合的方法,其特征在于,包括:使待键合晶圆依次经过对准腔、键合腔及冷却腔;当第一待键合晶圆位于键合腔时,第二待键合晶圆进入对准腔;当第一待键合晶圆位于冷却腔时,第二待键合晶圆进入键合腔,第三待键合晶圆进入对准腔。
8.如权利要求7所述的晶圆键合方法,其特征在于,使待键合晶圆依次经过对准腔、键合腔及冷却腔具体包括:
步骤一、打开对准腔门,使所述晶圆在对准腔内对准后使所述对准腔内呈真空状态;
步骤二、打开键合腔与对准腔之间的接口,将所述晶圆送至键合腔后关闭所述键合腔与对准腔之间的接口并使所述键合腔内呈真空状态,开始键合;
步骤三、打开键合腔与冷却腔之间的接口,将所述晶圆送至冷却腔后关闭所述键合腔与冷却腔之间的接口,对所述晶圆降温。
9.如权利要求8所述的晶圆键合方法,其特征在于,所述步骤一中真空状态下的真空度为10-3mbar。
10.如权利要求8所述的晶圆键合方法,其特征在于,所述步骤二中真空状态下的真空度为10-5mbar,所述键合步骤具体包括:使键合腔温度达到400℃时,使所述晶圆承受10KN的压力。
11.如权利要求8所述的晶圆键合方法,其特征在于,所述步骤三中降温步骤具体包括:将惰性气体注入冷却腔。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造