[发明专利]以具有外延层的衬底制造场终止型IGBT器件的方法

权利要求书

1.一种以具有外延层的衬底制造场终止型IGBT器件的方法，其特征是，包括：

第1步，选择具有外延层的硅衬底；在外延层的正面制造IGBT器件的正面结构，直至淀积正面金属作为发射极；

第2步，将硅衬底从背面减薄，在该硅衬底的背面以离子注入工艺形成p型重掺杂集电区，然后在p型重掺杂集电区的背面淀积金属作为集电极。

2.根据权利要求1所述的以具有外延层的衬底制造场终止型IGBT器件的方法，其特征是，所述外延层为n型中低掺杂，掺杂浓度为1×10¹¹～1×10¹⁴原子每立方厘米；

所述硅衬底为n型重掺杂，掺杂浓度为1×10¹⁴～1×10¹⁷原子每立方厘米。

3.根据权利要求1所述的以具有外延层的衬底制造场终止型IGBT器件的方法，其特征是，所述方法第1步中，外延层的初始厚度为40～300μm；在外延层的正面制造IGBT器件的正面结构之后，外延层和硅衬底的分界面向外延层的方向推移，即外延层变薄，但外延层与硅衬底的总厚度不变。

4.根据权利要求1所述的以具有外延层的衬底制造场终止型IGBT器件的方法，其特征是，所述方法第1步中，外延层的初始厚度为70μm。

5.根据权利要求1所述的以具有外延层的衬底制造场终止型IGBT器件的方法，其特征是，所述方法第2步中，外延层与减薄后剩余的硅衬底的总厚度为40～300μm。

6.根据权利要求5所述的以具有外延层的衬底制造场终止型IGBT器件的方法，其特征是，所述方法第2步中，外延层与减薄后剩余的硅衬底的总厚度为70～80μm。

7.根据权利要求1所述的以具有外延层的衬底制造场终止型IGBT器件的方法，其特征是，所述p型重掺杂集电区的掺杂浓度为1×10¹⁶～1×10¹⁹原子每立方厘米。