[发明专利]以贴片方式制造场终止型IGBT器件的方法

权利要求书

1.一种以贴片方式制造场终止型IGBT器件的方法，其特征是，包括：

第1步，选择区熔单晶硅的第一硅衬底和第二硅衬底，减薄第一硅衬底的厚度，在第二硅衬底的正面以离子注入和退火工艺形成n型重掺杂场阻断区；

第2步，将第一硅衬底的背面和第二硅衬底的正面以键合工艺形成为一体；

第3步，在第一硅衬底的正面制造IGBT器件的正面结构，直至淀积正面金属作为发射极；

第4步，将第二硅衬底从背面减薄，然后淀积背面金属作为集电极。

2.根据权利要求1所述的以贴片方式制造场终止型IGBT器件的方法，其特征是，所述方法的第2步、第3步互换顺序。

3.根据权利要求1所述的以贴片方式制造场终止型IGBT器件的方法，其特征是，所述方法第2步具体包括如下步骤：

第2.1步，将第一硅衬底的背面和第二硅衬底的正面进行清洗与活化处理；

第2.2步，将第一硅衬底的背面和第二硅衬底的正面贴合在一起；

第2.3步，将贴合好的硅片经过高温退火处理，使界面发生物理化学反应，增加键合强度形成整体。

4.根据权利要求1所述的以贴片方式制造场终止型IGBT器件的方法，其特征是，所述第一硅衬底为n型掺杂，所述第二硅衬底为p型掺杂。

5.根据权利要求1所述的以贴片方式制造场终止型IGBT器件的方法，其特征是，所述方法第3步中，制造了IGBT器件的正面结构后剩余的第一硅衬底直接地、或者通过离子注入作为n型中低掺杂区；

所述方法第4步中，减薄后的第二硅衬底直接地、或者通过离子注入作为p型重掺杂集电区。

6.根据权利要求5所述的以贴片方式制造场终止型IGBT器件的方法，其特征是，所述n型重掺杂场阻断区的电阻率为n型中低掺杂区的5～30倍。

7.根据权利要求1所述的以贴片方式制造场终止型IGBT器件的方法，其特征是，所述方法第1步中，第一硅衬底减薄后的厚度为50～300μm；

所述方法第4步中，第二硅衬底减薄后的厚度为40～300μm。

8.根据权利要求1所述的以贴片方式制造场终止型IGBT器件的方法，其特征是，包括：

第1’步，选择区熔单晶硅的第一硅衬底和第二硅衬底，减薄第一硅衬底的厚度，在第二硅衬底的正面以离子注入和退火工艺形成n型重掺杂场阻断区；

第2’步，将第二硅衬底从背面减薄；

第3’步，将第一硅衬底的背面和第二硅衬底的正面以键合工艺形成为一体；

第4’步，在第一硅衬底的正面制造IGBT器件的正面结构，直至淀积正面金属作为发射极；

第5’步，将第二硅衬底从背面减薄，然后淀积背面金属作为集电极。

9.根据权利要求8所述的以贴片方式制造场终止型IGBT器件的方法，其特征是，所述方法第4’步挪至第1’步至第2’步之间，或者挪至第2’步和第3’步之间。

10.根据权利要求8所述的以贴片方式制造场终止型IGBT器件的方法，其特征是，所述方法第1’步中，第一硅衬底减薄后的厚度为50～300μm；

所述方法第2’步中，第二硅衬底减薄后的厚度为300～700μm；

所述方法第4’步中，第二硅衬底减薄后的厚度为40～300μm。