[发明专利]晶体管装置和集成电路

权利要求书

1.一种晶体管装置，包括：

开关晶体管，包括电荷存储结构和控制结构；以及

感测晶体管，包括电荷存储结构、控制结构和选择结构；

其中，所述开关晶体管的电荷存储结构电气连接至所述感测晶体管的电荷存储结构；以及

其中，所述感测晶体管被配置为使得能够彼此独立地对所述感测晶体管的选择结构和控制结构进行电气控制。

2.根据权利要求1所述的晶体管装置，

其中，所述开关晶体管没有选择结构。

3.根据权利要求1所述的晶体管装置，

其中，所述开关晶体管的控制结构电气连接至所述感测晶体管的控制结构。

4.根据权利要求1所述的晶体管装置，

其中，所述开关晶体管的电荷存储结构和所述感测晶体管的电荷存储结构均包括浮动栅；

其中，所述开关晶体管的控制结构和所述感测晶体管的控制结构均包括控制栅；

其中，所述感测晶体管的选择结构包括选择栅。

5.根据权利要求4所述的晶体管装置，

其中，所述栅中的至少一个包括多晶硅。

6.根据权利要求4所述的晶体管装置，

其中，所述开关晶体管的浮动栅和所述感测晶体管的浮动栅是公共浮动栅的一部分；以及

其中，所述开关晶体管的控制栅和所述感测晶体管的控制栅是公共控制栅的一部分。

7.根据权利要求6所述的晶体管装置，

其中，所述公共浮动栅和所述公共控制栅中的至少一个包括多晶硅。

8.根据权利要求1所述的晶体管装置，

其中，所述感测晶体管被配置为分栅器件。

9.根据权利要求4所述的晶体管装置，

其中，所述选择栅被配置为间隔部，所述间隔部被布置在所述感测晶体管的浮动栅和控制栅中的至少一个的侧壁上方。

10.根据权利要求1所述的晶体管装置，

其中，所述感测晶体管被配置为对电荷存储结构进行编程或擦除。

11.根据权利要求10所述的晶体管装置，

其中，所述感测晶体管被配置为使用源极侧注入机制来对电荷存储结构进行编程。

12.根据权利要求1所述的晶体管装置，

其中，所述开关晶体管还包括选择结构；

其中，能够彼此独立地对所述开关晶体管的选择结构和控制结构进行电气控制。

13.根据权利要求12所述的晶体管装置，

其中，所述开关晶体管的选择结构包括选择栅，所述选择栅被配置为间隔部，所述间隔部被布置在所述开关晶体管的电荷存储结构和控制结构中的至少一个的侧壁上方。

14.根据权利要求1所述的晶体管装置，

被配置为现场可编程门阵列单元。

15.一种集成电路，包括彼此电气连接的根据权利要求14所述的多个现场可编程门阵列单元。

16.根据权利要求15所述的集成电路，

被配置为可编程逻辑电路。

17.一种晶体管装置，包括：

1晶体管型开关器件，包括浮动栅和控制栅；以及

2晶体管型感测器件，包括浮动栅、控制栅和选择栅；

其中，所述开关器件的浮动栅电气连接至所述感测器件的浮动栅；以及

其中，所述感测器件被配置为使得能够彼此独立地对所述感测器件的选择栅和控制栅进行控制。

18.根据权利要求17所述的晶体管装置，

其中，所述感测器件的选择栅被配置为间隔部，所述间隔部被布置在所述感测器件的浮动栅和控制栅中的至少一个的侧壁上方。

19.根据权利要求17所述的晶体管装置，

其中，所述开关器件和所述感测器件的栅中的至少一个包括多晶硅。

20.根据权利要求17所述的晶体管装置，

其中，所述开关器件的浮动栅和所述感测器件的浮动栅是公共浮动栅的一部分；以及

其中，所述开关器件的控制栅和所述感测器件的控制栅是公共控制栅的一部分。