[发明专利]串叠式太阳能电池及其制作方法

权利要求书

1.一种串叠式太阳能电池，其特征在于，包括：

基板；

设置在所述基板上的透明导电氧化物层；

设置在所述透明导电氧化物层上的顶部p-i-n结构，其至少包括第一p-i-n结构，所述第一p-i-n结构包括依次堆叠的P型非晶硅层、I型非晶硅层、N型非晶硅层，其中，所述P型非晶硅层靠近所述透明导电氧化物层；

设置在所述顶部p-i-n结构上的底部p-i-n结构，其包括依次堆叠的P型微晶硅层、I型微晶硅层、N型微晶硅层，其中，所述P型微晶硅层靠近所述顶部p-i-n结构；

设置在所述底部p-i-n结构上的应力产生层，所述应力产生层使所述底部p-i-n结构产生拉伸应力；

设置在所述应力产生层上的背金属层。

2.根据权利要求1所述的串叠式太阳能电池，其特征在于，所述应力产生层的材质为钨或氮化硅或氧化硅或氮氧化硅或氮化钨。

3.根据权利要求2所述的串叠式太阳能电池，其特征在于，所述应力产生层的厚度为10nm～500nm。

4.根据权利要求1所述的串叠式太阳能电池，其特征在于，所述顶部p-i-n结构与所述底部p-i-n结构之间有缓冲层。

5.根据权利要求4所述的串叠式太阳能电池，其特征在于，所述缓冲层的材质为含P型掺杂物或N型掺杂物的多孔硅。

6.根据权利要求5所述的串叠式太阳能电池，其特征在于，所述多孔硅的孔径小于1um。

7.根据权利要求1或4或5所述的串叠式太阳能电池，其特征在于，所述顶部p-i-n结构还包括设置在所述第一p-i-n结构上的第二p-i-n结构，所述第一p-i-n结构的I型非晶硅层的能量带隙比第二p-i-n结构的I型层的能量带隙大。

8.根据权利要求7所述的串叠式太阳能电池，其特征在于，所述第二p-i-n结构包括依次堆叠的P型微晶硅层、I型微晶硅层、N型微晶硅层或包括依次堆叠的P型非晶硅层、I型非晶硅层、N型非晶硅层。

9.根据权利要求8所述的串叠式太阳能电池，其特征在于，沿所述基板至所述背金属层方向，所述第二p-i-n结构的I型微晶硅层的能量带隙逐渐变小。

10.一种串叠式太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供基板；

在所述基板上形成透明导电氧化物层；

在所述透明导电氧化物层上形成顶部p-i-n结构，所述顶部p-i-n结构至少包括第一p-i-n结构，所述第一p-i-n结构包括依次堆叠的P型非晶硅层、I型非晶硅层、N型非晶硅层，所述P型非晶硅层靠近所述透明导电氧化物层；

在所述顶部p-i-n结构上形成底部p-i-n结构，所述底部p-i-n结构包括依次堆叠的P型微晶硅层、I型微晶硅层、N型微晶硅层，所述P型微晶硅层靠近所述顶部p-i-n结构；

在所述底部p-i-n结构上形成应力产生层，在形成所述应力产生层的过程中会使所述底部p-i-n结构产生拉伸应力；

在所述应力产生层上形成背金属层。

11.根据权利要求10所述的串叠式太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述应力产生层是利用化学气相沉积工艺形成。

12.根据权利要求10所述的串叠式太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述应力产生层的材质为钨或氮化硅或氧化硅或氮氧化硅或氮化钨。

13.根据权利要求10所述的串叠式太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述应力产生层的厚度为10nm～500nm。

14.根据权利要求11所述的串叠式太阳能电池的制作方法，其特征在于，利用化学气相沉积工艺在所述底部p-i-n结构上形成所述应力产生层时，反应腔室内的温度保持在200℃～500℃之间。

15.根据权利要求10所述的串叠式太阳能电池的制作方法，其特征在于，形成所述顶部p-i-n结构之后、形成所述底部p-i-n结构之前，在所述顶部p-i-n结构上形成缓冲层。

16.根据权利要求15所述的串叠式太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述缓冲层的材质为含P型掺杂物或N型掺杂物的多孔硅。