[发明专利]用于分区清洗锯切的晶圆的保持/清洗装置及方法无效
申请号: | 201110396101.1 | 申请日: | 2011-11-28 |
公开(公告)号: | CN102543796A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 罗兰·蒂昌特-瓦格纳 | 申请(专利权)人: | 睿纳有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/673;H01L21/02;B08B3/02 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 余朦;王艳春 |
地址: | 德国居*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 分区 清洗 保持 装置 方法 | ||
1.用于保持将被锯切的衬底块(13A、13B)和用于冲洗通过锯切所述衬底块(13A、13B)形成的中间空间的装置,所述装置具有与所述装置纵轴(L)平行地布置且彼此叠置的两个区域,上区域被配置成接装区域(1),所述装置能够通过所述接装区域(1)连接至机械仪器,下区域形成为保持区域(2),所述保持区域(2)包括四周封闭或可封闭的通道系统,所述通道系统能够通过可封闭的供应口(5)被供给清洗液,在所述衬底块(13A、13B)的锯切期间所述通道系统的底部以槽型方式开放以提供用于所述冲洗液的通道口(15)。
2.如权利要求1所述的装置,其中,所述通道系统包括沿所述装置纵轴(L)的多个部分(11A、11B),所述多个部分(11A、11B)能够彼此独立地被供给冲洗液。
3.如权利要求2所述的装置,其中,部分(10A、10B)由多个结构分离的通道形成,所述多个结构分离的通道能够彼此独立地进行供应。
4.如权利要求2所述的装置,其中,部分(10A、10B)通过可移动地安装在所述通道系统中的阻液隔离物(12)形成。
5.如权利要求1-4中任一项所述的装置,其中,所述可封闭的供应口(5)布置在所述接装区域(1)的上平整侧(6)。
6.如权利要求1-4中任一项所述的装置,其中,所述可封闭的供应口(5)布置在所述接装区域(1)的四周侧(7A、7B、8A、8B)
7.如上述权利要求中任一项所述的权利要求,其中,所述保持区域(2)布置在保持板(4)上,所述接装区域(1)布置在接装板(3)上,这两个板(3、4)可释放地彼此连接。
8.如上述权利要求中任一项所述的权利要求,其中,所述保持区域(2)的材料选自玻璃、塑料、环氧化物、陶瓷、金属和其混合物。
9.用于对通过使用权利要求1-8中任一项所述的装置锯切衬底块(13A、13B)而形成的中间空间进行冲洗的方法,其中,将冲洗液应用到所述通道系统并且使所述冲洗液经由所述通道口(15)从所述通道系统排出。
10.用于对通过使用装置锯切衬底块(13A、13B)而形成的中间空间进行冲洗的方法,所述装置具有与所述装置纵轴(L)平行地布置且彼此叠置的两个区域,上区域被配置成接装区域(1),所述装置能够通过所述接装区域(1)连接至机械仪器,四周封闭的通道系统布置在下区域中,所述方法包括如下步骤:
通过布置在所述上区域中的可封闭的供应口(5),将冲洗液供应给所述通道系统;
通过槽型通道口(15)冲洗所述中间空间,所述通道口(15)已经在锯切所述衬底块(13A、13B)时形成于所述通道系统的底部。
11.如权利要求9或10所述的方法,其中,沿所述装置纵轴(L)经由被供给有冲洗液的所述通道口(15)均匀地进行所述冲洗。
12.如权利要求9到11中任一项所述的方法,其中,如在所述装置纵轴(L)中所看到的,分区地进行所述通道系统的供应和通过所述通道口(15)的所述冲洗。
13.如权利要求9-12中任一项所述的方法,其中,在晶圆锯的工作区域进行所述冲洗。
14.如权利要求13所述的方法,其中,在将所述晶圆锯的锯线从所述中间空间抽出期间,进行所述冲洗。
15.如权利要求9-14中任一项所述的方法,其中,在液体中和/或利用超声辅助,进行所述冲洗。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造