[发明专利]半导体装置及其制造方法和半导体封装件

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

半导体基底，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，第二表面限定再分布槽，基底具有延伸通过基底的通孔；

通孔件，设置在通孔中，通孔件包括顺序形成在通孔的内壁上的通孔绝缘层、阻挡层，其中，通孔件还包括与阻挡层相邻的导电连接件；

绝缘层图案，形成在基底的第二表面上，绝缘层图案限定暴露通孔件的顶表面的一定区域的开口；

再分布层，设置在再分布槽中，并电连接到通孔件，

其中，绝缘层图案与导电连接件的一定区域叠置。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，通孔件设置在再分布层下方。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其中，通孔件的导电连接件的顶表面与再分布层的最底部的表面相邻接。

4.如权利要求2所述的半导体装置，其中，再分布层由与导电连接件的材料不同的材料形成。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其中，绝缘层图案的底表面与通孔绝缘层的顶表面相邻接。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其中，绝缘层图案的顶表面与再分布层的顶表面基本共面。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其中，绝缘层图案的开口设置在由导电连接件的顶表面限定的区域上方。

8.如权利要求1所述的半导体装置，其中，绝缘层图案形成在再分布槽的内部的一部分上并在基底的第二表面上。

9.如权利要求7所述的半导体装置，其中，绝缘层图案直接接触基底的第二表面，再分布层形成在绝缘层图案上。

10.如权利要求1所述的半导体装置，其中，绝缘层图案的开口的侧壁在导电连接件上面。

11.如权利要求10所述的半导体装置，其中，开口的宽度小于导电连接件的宽度。

12.如权利要求1所述的半导体装置，其中，再分布层直接接触通孔件的通过绝缘层图案的开口暴露的区域。

13.如权利要求1所述的半导体装置，其中，阻挡层的顶表面和通孔绝缘层的顶表面与基底的第二表面的邻接区域基本上位于相同的高度处。

14.如权利要求13所述的半导体装置，其中，导电连接件的顶表面低于阻挡层的顶表面和通孔绝缘层的顶表面。

15.如权利要求1所述的半导体装置，其中，通孔绝缘层在第二表面的最底部的部分上方延伸，绝缘层图案覆盖通孔绝缘层的延伸的部分的侧壁。

16.如权利要求15所述的半导体装置，其中，绝缘层图案形成上升超过在半导体基底的第二表面的水平并在通孔绝缘层和阻挡层上延伸的脊部。

17.如权利要求1所述的半导体装置，其中，通孔件包括导电连接件的延伸超过第二表面的邻接区域的水平的提升部分。

18.如权利要求17所述的半导体装置，其中，导电连接件的提升部分的顶表面设置在再分布层的顶表面下方。

19.如权利要求1所述的半导体装置，其中，导电连接件的顶表面高于基底的第二表面的邻接区域。

20.如权利要求1所述的半导体装置，其中，通孔件逐渐变宽。

21.如权利要求20所述的半导体装置，其中，通孔件具有从基底的第一表面至第二表面逐渐增加的直径。

22.如权利要求20所述的半导体装置，其中，通孔件阶梯式地逐渐变宽。

23.如权利要求1所述的半导体装置，其中，再分布层包括与通孔件叠置的第一子再分布层和不与通孔件叠置的第二子再分布层，第一子再分布层和第二子再分布层具有不同的厚度。

24.如权利要求23所述的半导体装置，其中，第二子再分布层的厚度大于第一子再分布层的厚度。

25.如权利要求24所述的半导体装置，其中，第一子再分布层的宽度小于通孔的宽度。