[发明专利]一种可配置的接收信号强度指示电路

权利要求书

1.一种可配置的接收信号强度指示电路，其特征在于，包括减法器、限幅放大器链、全波整流器、输出缓冲器以及直流失调提取电路；所述直流失调提取电路用于提取直流失调电压；

所述减法器用于将输入的中频信号和直流失调电压相减，并将得到的信号分别输出至所述限幅放大器链和全波整流器；

所述限幅放大器链中的每一个限幅放大器的输出信号均输入全波整流器；

所述限幅放大器链的输出信号分别输入所述直流失调提取电路和输出缓冲器；

所述输出缓冲器输出中频信号，所述全波整流器输出接收信号强度指示信号。

2.如权利要求1所述的接收信号强度指示电路，其特征在于，所述减法器包括NMOS晶体管（M₁、M₂、M₅-M₈、M_o1、M_o2）和PMOS晶体管（M₃、M₄）；

电源电压接PMOS晶体管（M₃）和PMOS晶体管（M₄）的源极，PMOS晶体管（M₃）和PMOS晶体管（M₄）的栅极接偏置电压（V_bp），PMOS晶体管（M₃）的漏极与NMOS晶体管（M₁）的漏极连接，PMOS晶体管（M₄）的漏极与NMOS晶体管（M₂）的漏极连接，NMOS晶体管（M₁）和NMOS晶体管（M₂）的源极接NMOS晶体管（M₇）的漏极，NMOS晶体管（M₇）的源极接地，NMOS晶体管（M₇）和NMOS晶体管（M₈）的栅极接偏置电压（V_bn），NMOS晶体管（M₈）的源极接地，NMOS晶体管（M_o1）和NMOS晶体管（M_o2）的源极接NMOS晶体管（M₈）的漏极，NMOS晶体管（M_o1）的漏极接NMOS晶体管（M₅）的漏极，NMOS晶体管（M₅）的漏极和栅极连接，NMOS晶体管（M_o2）的漏极接NMOS晶体管（M₆）的漏极，NMOS晶体管（M₆）的漏极和栅极连接；

NMOS晶体管（M₁）和NMOS晶体管（M₂）的栅极作为中频信号的输入端，NMOS晶体管（M_o1）和NMOS晶体管（M_o2）的栅极作为直流失调电压的输入端，NMOS晶体管（M₁）和NMOS晶体管（M₂）的漏极作为减法器的输出端。