[发明专利]变容二级管制作的调频无线话筒

说明书

技术领域

本发明属于电子技术与通信技术领域，是关于一种变容二级管制作的调频无线话筒。

背景技术

市场上多数调频无线话筒的工作原理是通过改变晶体管的基极和发射极之间电容实现调频的，当声音电压信号加到晶体管的基极时，晶体管的基极与发射极之间电容会随着声音电压信号大小而同步发生变化，同时使晶体管的发射频率发生变化，进而实现对频率的调制。

本发明的核心元件是变容二级管，音频信号使变容二级管的容量随着音频电压的变化而变化，然后将音频信号加载到振荡电路中，从而实现了调频。该发射器无需外接天线，大大方便了用户的使用。

以下详细说明这种变容二级管制作的调频无线话筒在制作过程中所涉及的有关技术内容。

发明内容

发明目的及有益效果：本发明目的在于克服了多数调频无线话筒的调频工作是通过改变晶体管的基极和发射极之间电容来实现调频，这种调频方式存在着易产生寄生调幅现象，且谐波成分多等缺陷。本发明利用变容二级管，使变容二级管的容量随着音频信号的变化而变化，然后将音频信号加载到振荡电路中，从而实现调频。该发射器无需外接天线，大大方便了用户的使用。本调频发射器还具有制作简单、成本低、性能可靠等特点。

电路工作原理：该调频无线发射器由低频放大电路、低通滤波电路、变容二级管及偏置电路、振荡及高频放大电路组成。驻极体话筒MIC产生的音频信号由PNP硅晶体管BG1放大后，送至变容二级管D1，使其容量随着音频信号的变化而变化，接着通过PNP硅晶体管BG2组成的振荡电路进行调频，已调频的射频信号由振荡线圈L2向空中辐射。该振荡电路消除了采用PNP硅晶体管的结电容调频容易产生寄生调幅现象。

技术方案：变容二级管制作的调频无线话筒，由6V直流电源DC、音频拾取及音频放大电路、稳幅电路、变容二级管偏置电路、振荡电路及高频放大电路组成，其特征包括：

音频拾取及音频放大电路：PNP硅晶体管BG1的基极与电解电容C1的负极、电阻R1的一端相连，电解电容C1的正极接驻极体话筒MIC的输出端，驻极体话筒MIC的外壳接电路地GND，电阻R1的另一端接电路正极VCC，PNP硅晶体管BG1的集电极接电解电容C2的正极和电阻R2的一端，电阻R2的另一端接电路正极VCC，PNP硅晶体管BG1的发射极接电路地GND；

稳幅电路：电解电容C2的负极与电阻R3的一端及电感线圈L1的一端相连，电阻R3的另一端接电路正极VCC，电感线圈L1的另一端接变容二级管D1的负极；

变容二级管偏置电路：变容二级管D1的正极与电阻R4的一端及电阻R5的一端相连，电阻R4的另一端接电路正极VCC，电阻R5的另一端接电路地GND；

振荡电路及高频放大电路：PNP硅晶体管BG2的基极与电阻R6的一端及电阻R7的一端相连，电阻R6的另一端接电路正极VCC，电阻R7的另一端接电路地GND，PNP硅晶体管BG2的集电极与电容C4的一端、振荡线圈L2的一端、电容C3的一端相连，电容C4的另一端、振荡线圈L2的另一端接电路正极VCC，电容C3的另一端接变容二级管D1的负极，PNP硅晶体管BG2的发射极与电阻R8的一端相连，电阻R8的另一端接电路地GND。

6V直流电源DC的正极与电路正极VCC相连，6V直流电源DC的负极与电路地GND相连。

附图说明

附图1是本发明提供一个变容二级管制作的调频无线话筒的实施例电路工作原理图；要求驻极体话筒MIC的外壳接电路地GND。

具体实施方式

按照附图1所示变容二级管制作的调频无线话筒的电路工作原理图和附图说明及以下所述的元器件技术要求实施，即可实现本发明。

元器件的选择及技术参数

BG1为PNP硅晶体管，型号2SC9014，要求β≥200；BG2为PNP硅晶体管，要求2SC9018等型号，特征频率要求≥350MHz；D1为变容二级管；

电阻均使用RTX-1/8W型金属膜电阻，电阻R1的阻值470KΩ，电阻R2的阻值800Ω，电阻R3的阻值100KΩ，电阻R4的阻值22KΩ，电阻R5阻值56KΩ，电阻R6的阻值12KΩ，电阻R7的阻值4.7KΩ，电阻R8的阻值330Ω；

C1～C2为CD11-25V型电解电容，容量分别为22μF、2.2μF；

C3、C4为优质瓷片电容，容量为5.1PF；

MIC为话筒，选用两输出端子的驻极体话筒，其外壳接电路地GND。

元器件的制作