[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制造方法，包括：

于一基板上形成一栅极；

于该基板上形成一栅极绝缘层，覆盖该栅极；

于该栅极绝缘层上形成一半导体材料层；

形成一蚀刻终止材料层于该栅极上方的该半导体材料层上，其中该蚀刻终止材料层具有一第一区块与位于该第一区块两侧的一第二区块，该第一区块的厚度大于该第二区块的厚度，且该蚀刻终止材料层包括一有机无机混合材料；

以该蚀刻终止材料层为掩模，移除部分该半导体材料层，以形成一沟道层；

移除该蚀刻终止材料层的该第二区块，以形成一蚀刻终止层，该蚀刻终止层覆盖部分该沟道层；以及

于覆盖有该蚀刻终止层的该沟道层上形成一源极与一漏极。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其中该有机无机混合材料包括硅氧烷化合物。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管的制造方法，其中该硅氧烷化合物具有以下分子式：

其中R₁与R₂分别独立地表示氢原子、一至八个碳原子数的直链或支链的烷基、一至八个碳原子数的直链或支链的醚基、一至八个碳原子数的直链或支链的酯基、一至八个碳原子数的直链或支链的烷氧基、一至八个碳原子数的直链或支链的羧基或至少一个奈酚偶氮磺酸基，以及n为正整数。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管的制造方法，其中该硅氧烷化合物的分子量小于1万。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其中该有机无机混合材料的分子量小于1万。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其中形成该蚀刻终止材料层的步骤经由一半调式光掩模制造工艺、一灰调式光掩模制造工艺或经由不同曝光能量的两张光掩模制造工艺。

7.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其中移除该蚀刻终止材料层的该第二区块的方法包括一等离子体蚀刻制造工艺。

8.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其中移除该蚀刻终止材料层的该第二区块的方法包括一氧等离子体蚀刻制造工艺。

9.一种薄膜晶体管，包括：

一基板；

一栅极，配置于该基板上；

一栅极绝缘层，覆盖该栅极；

一沟道层，配置于该栅极绝缘层上且位于该栅极上方；

一蚀刻终止层，覆盖部分该沟道层，其中该蚀刻终止层的材料包括一有机无机混合材料；以及

一源极与一漏极，配置于覆盖有该蚀刻终止层的该沟道层上。

10.如权利要求9所述的薄膜晶体管，其中该有机无机混合材料包括硅氧烷化合物。

11.如权利要求10所述的薄膜晶体管，其中该硅氧烷化合物具有以下分子式：

其中R₁与R₂分别独立地表示氢原子、一至八个碳原子数的直链或支链的烷基、一至八个碳原子数的直链或支链的醚基、一至八个碳原子数的直链或支链的酯基、一至八个碳原子数的直链或支链的烷氧基、一至八个碳原子数的直链或支链的羧基或至少一个奈酚偶氮磺酸基，以及n为正整数。

12.如权利要求11所述的薄膜晶体管，其中该硅氧烷化合物的分子量小于1万。

13.如权利要求10所述的薄膜晶体管，其中该有机无机混合材料的分子量小于1万。