[发明专利]掺杂方法、PN结构、太阳能电池及其制作方法

权利要求书

1.一种掺杂方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S₁、在一N型基底的表面和背面形成绒面；

步骤S₂、通过离子注入的方式在该N型基底的背面中形成N型重掺杂区域和N型轻掺杂区域，其中该N型轻掺杂区域为与该N型重掺杂区域接触的、且N型离子的掺杂浓度小于该N型重掺杂区域的区域；

步骤S₃、通过热扩散的方式在该N型基底的表面中形成一P型掺杂层。

2.如权利要求1所述的掺杂方法，其特征在于，步骤S₂包括以下步骤：

步骤S₂₁、在该N型基底的背面上形成一掩膜，未被该掩膜覆盖的区域为开放区域；

步骤S₂₂、加速N型离子并通过离子注入的方式将该N型离子从该开放区域注入至该N型基底的背面中；

步骤S₂₃、去除该掩膜，加速N型离子并通过离子注入的方式将该N型离子注入至该N型基底的背面中；或者，

步骤S_21’、加速N型离子并通过离子注入的方式将该N型离子注入至该N型基底的背面中；

步骤S_22’、在该N型基底的背面上形成一掩膜，未被该掩膜覆盖的区域为开放区域；

步骤S_23’、加速N型离子并通过离子注入的方式将该N型离子从该开放区域注入至该N型基底的背面中，之后去除该掩膜；

其中，经过一次离子注入的区域形成该N型轻掺杂区域，经过两次离子注入的区域形成该N型重掺杂区域。

3.如权利要求1或2所述的掺杂方法，其特征在于，

步骤S₂中通过加速N型离子至500eV-50keV并通过离子注入的方式形成该N型重掺杂区域和该N型轻掺杂区域，使该N型重掺杂区域的方块电阻为10-50Ω/□，该N型轻掺杂区域的方块电阻为60-120/□。

4.如权利要求1或2所述的掺杂方法，其特征在于，

该N型重掺杂区域的宽度为50-500μm，该N型轻掺杂区域的宽度为500-3000μm。

5.一种PN结构，其特征在于，其包括：

一N型基底，该N型基底的表面和背面为绒面；

形成于该N型基底的背面中的N型重掺杂区域和N型轻掺杂区域，其中该N型轻掺杂区域为与该N型重掺杂区域接触的、且N型离子的掺杂浓度小于该N型重掺杂区域的区域；

形成于该N型基底的表面中的一P型掺杂层。

6.如权利要求5所述的PN结构，其特征在于，

其中该N型重掺杂区域的方块电阻为10-50Ω/□，该N型轻掺杂区域的方块电阻为60-120Ω/□。

7.如权利要求5所述的PN结构，其特征在于，

其中该N型重掺杂区域的宽度为50-500μm，该N型轻掺杂区域的宽度为500-3000μm。

8.如权利要求5-7中任意一项所述的PN结构，其特征在于，该PN结构通过如权利要求1-4中任意一项所述的掺杂方法得到。

9.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，按照权利要求1-4中任意一项所述的掺杂方法获得一PN结构之后，还包括以下步骤：

在该PN结构的表面和背面分别形成一表面钝化层和一背面钝化层；

在该表面钝化层上形成一表面减反射层，在该背面钝化层上形成一背面减反射层；

在该表面减反射层上形成阳电极，在该背面减反射层上与该N型重掺杂区域相对应的区域形成阴电极；

烧结该阳电极和该阴电极，使该阳电极和该阴电极与该PN结构共晶复合。

10.如权利要求9所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，通过PECVD形成该表面钝化层和/或该背面钝化层，该表面钝化层和/或该背面钝化层为氧化硅、碳化硅、氧化铝、氮化硅和非晶硅薄膜中的一种或多种的叠层；或者，通过硝酸氧化的方法形成该表面钝化层和/或该背面钝化层，该表面钝化层和/或该背面钝化层为二氧化硅薄膜。

11.如权利要求9所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，通过PECVD形成该表面减反射层和/或该背面减反射层，该表面减反射层和/或该背面减反射层为氮化硅薄膜。