[发明专利]具有双金属硅化物的射频LDMOS器件及制造方法

权利要求书

1.一种具有双金属硅化物的射频LDMOS器件，其特征在于：

P型硅衬底(1)上形成有P型外延(2)，P型外延(2)中形成有N型低掺杂漏区(4)；

所述N型低掺杂漏区(4)的两侧分别形成P阱(3)和N型重掺杂漏区(6)，P阱(3)和N型低掺杂漏区(4)不接触，N型重掺杂漏区(6)和N型低掺杂漏区(4)一侧重合；

所述P阱(3)中形成有N型重掺杂源区(8)，N型重掺杂源区(8)远离N型低掺杂漏区(4)的一侧形成有P型重掺杂引出区(7)，P型重掺杂引出区(7)和N型重掺杂源区(8)相接触；

P型外延(2)在N型重掺杂漏区(6)上方形成有漏极钛金属硅化物层(13)，在P型重掺杂引出区(7)和N型重掺杂源区(8)上方形成有源极钛金属硅化物层(14)，在漏极钛金属硅化物层(13)和源极钛金属硅化物层(14)内缘之间、漏极钛金属硅化物层(13)外缘外和源极钛金属硅化物层(14)外缘外的P型外延(2)上形成有氧化硅阻挡层(12)；

N型低掺杂漏区(4)和P阱(3)上方的氧化硅阻挡层(12)中具有多晶硅栅极(5)，多晶硅栅极(5)上方具有栅极钛金属硅化物层(11)，所述栅极钛金属硅化物层(11)的厚度大于漏极钛金属硅化物层(13)和源极钛金属硅化物层(14)的厚度。

2.根据权利要求1所述的具有双金属硅化物的射频LDMOS器件，其特征在于：所述漏极钛金属硅化物层(13)和源极钛金属硅化物层(14)的厚度相同。

3.一种具有双金属硅化物的射频LDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

第1步，在P型硅衬底(1)上生长P型外延(2)，在P型外延(2)上生长栅氧层，并在栅氧层上淀积多晶硅，光刻刻蚀形成多晶硅栅极(5)；

第2步，在P型外延(2)中自对准多晶硅栅极(5)进行离子注入，经高温推进形成P阱(3)，P阱(3)的一端位于多晶硅栅极(5)下方；

第3步，进行离子注入，在P阱(3)中形成N型重掺杂源区(8)和P型重掺杂引出区(7)，同时在P型外延(2)中形成N型低掺杂漏区(4)和N型重掺杂漏区(6)；所述P型重掺杂引出区(7)位于N型重掺杂源区(8)远离多晶硅栅极(5)的一侧，并与N型重掺杂源区(8)接触；所述N型低掺杂漏区(4)位于N型重掺杂漏区(6)和P阱(3)之间，且一侧与N型重掺杂漏区(6)重合，另一侧位于多晶硅栅极(5)下方与P阱(3)留有间隙；

第4步，在整个器件上淀积氧化硅阻挡层(12)，并在其上淀积一有机介质层(9)；

第5步，干法回刻去除多晶硅栅极(5)上的有机介质层(9)和氧化硅阻挡层(12)，在源漏上保持氧化硅阻挡层(12)及部分有机介质层(9)；

第6步，湿法去除有机介质层(9)，在整个器件上淀积用于形成硅化物的金属钛和氮化钛；

第7步，快速热退火，在多晶硅栅极(5)表面形成栅极钛金属硅化物层(11)，湿法刻蚀去除氧化硅阻挡层(12)上未反应的金属钛和氮化钛；

第8步，在整个器件上再淀积一氧化硅阻挡层(12)；

第9步，光刻刻蚀打开源漏；

第10步，在整个器件上淀积金属钛和氮化钛，快速热退火，在打开的源漏区域形成常规的源极钛金属硅化物层(14)和漏极钛金属硅化物层(13)，湿法刻蚀去除氧化硅阻挡层(12)上未反应的金属钛和氮化钛。

4.根据权利要求3所述的具有双金属硅化物的射频LDMOS器件的制造方法，其特征在于，第1步中，所述P型硅衬底(1)为重掺杂，掺杂浓度在10²⁰cm^-3以上，所述P型外延(2)为低掺杂，掺杂浓度为10¹⁴～10¹⁶cm^-3。

5.根据权利要求3所述的具有双金属硅化物的射频LDMOS器件的制造方法，其特征在于，第4步中，氧化硅阻挡层(12)的厚度为500～1200埃。

6.根据权利要求3所述的具有双金属硅化物的射频LDMOS器件的制造方法，其特征在于，第7步中，进行两次快速热退火形成栅极钛金属硅化物层(11)。

7.根据权利要求3所述的具有双金属硅化物的射频LDMOS器件的制造方法，其特征在于，第9步中，光刻去除N型重掺杂漏区(6)上方的氧化硅阻挡层，以及N型重掺杂源区(8)和P型重掺杂引出区(7)相接触一侧上方的氧化硅阻挡层。

8.根据权利要求7所述的具有双金属硅化物的射频LDMOS器件的制造方法，其特征在于，第10步中，进行两次快速热退火在N型重掺杂漏区(6)上方形成漏极钛金属硅化物层(13)，在N型重掺杂源区(8)和P型重掺杂引出区(7)相接触一侧上方形成源极钛金属硅化物层(14)。