[发明专利]一种制备中空太阳能吸收材料CuInS2的方法有效
| 申请号： | 201110397191.6 | 申请日： | 2011-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN102557116A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 宰建陶;钱雪峰;陈虹锦;黄崇文;徐淼;沈杰;肖映林;韩倩琰;李波 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C01G19/00 | 分类号： | C01G19/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 叶敏华 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 中空 太阳能 吸收 材料 cuins sub 方法 | ||
1.一种制备中空太阳能吸收材料CuInS2的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
(1)将铟盐、硫源和助剂加入到聚四氟乙烯反应釜中，然后加入溶剂，配成铟盐浓度为0.01-0.5M的溶液，搅拌或超声溶解；
(2)称取与铟盐相等摩尔量的氧化亚铜模板加入到上述溶液中，搅拌或超声均匀，制成反应前驱液；
(3)将反应釜密封，控制温度140-200℃，反应时间1-24小时；反应结束后，反应釜自然冷却到室温，将产物过滤或离心分离，用无水乙醇洗涤数次，真空抽干，即获得CuInS2中空材料。
2.根据权利要求1所述的一种制备中空太阳能吸收材料CuInS2的方法，其特征在于，步骤(1)中所述的铟盐、硫源和助剂的摩尔比为1∶(4-16)∶(0.5-3)。
3.根据权利要求1所述的一种制备中空太阳能吸收材料CuInS2的方法，其特征在于，步骤(1)中所述的铟盐为氯化铟、硝酸铟或硫酸铟。
4.根据权利要求1所述的一种制备中空太阳能吸收材料CuInS2的方法，其特征在于，步骤(1)中所述的硫源为硫脲、二硫化碳或硫代乙酰胺的可以释放出硫离子的化合物或单质。
5.根据权利要求1所述的一种制备中空太阳能吸收材料CuInS2的方法，其特征在于，步骤(1)中所述的助剂为可溶性高分子，包括聚乙烯吡咯烷酮或市售的P123。
6.根据权利要求1所述的一种制备中空太阳能吸收材料CuInS2的方法，其特征在于，步骤(1)中所述的溶剂为乙醇、丙醇或丁醇。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学，未经上海交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110397191.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
