[发明专利]三元复合驱钙硅钡垢抑制剂及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201110397685.4 申请日: 2011-12-02
公开(公告)号: CN102516967A 公开(公告)日: 2012-06-27
发明(设计)人: 高清河;马淑清;钱慧娟;张丽;刘洪胜;侯志峰;徐克明;陈新萍 申请(专利权)人: 中国石油天然气集团公司;大庆石油管理局
主分类号: C09K8/52 分类号: C09K8/52;C08F220/06;C08F220/58;C08F222/06;C08F228/02
代理公司: 大庆知文知识产权代理有限公司 23115 代理人: 米万泽
地址: 100007 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 三元 复合 驱钙硅钡垢 抑制剂 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种三元复合驱钙硅钡垢抑制剂,其特征在于:原料及原料质量百分比:丙烯酸15~30%、2-丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸5~9%、氢氧化钠5~10%、顺丁烯二酸酐10~20%,次亚磷酸钠3~10%、烯丙基磺酸钠8~20%;双氧水(H2O2,35%)8~19%、软化水14~20%、硫酸亚铁铵0.001~0.003%。

2.一种权利要求1所述的三元复合驱钙硅钡垢抑制剂的制备方法:

(1)室温下,将丙烯酸和双氧水混合均匀后,用化工泵泵入一个高位槽a(1)中;

(2)将氢氧化钠配成10%溶液,然后加入2-丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸,溶液pH=8.5~9.5,室温混合均匀后置于另一个高位槽b(2)中;

(3)将顺丁烯二酸酐、软化水投入反应釜(5),在搅拌的情况下逐渐升高反应釜(5)温度到80℃,水解反应0.5小时,投入烯丙基磺酸钠、次亚磷酸钠,溶解完全后,再投入硫酸亚铁铵;

(4)同时开启2个高位槽即高位槽a(1)及高位槽b(2)的阀门,开始滴加槽中液体,控制反应温度90~115℃,滴加时间1.5~2小时,滴加完毕后,继续反应过程中温度控制在105~115℃,继续反应2.0~2.5小时;

(5)由高位槽c(3)内通过阀门控制向反应釜滴加30%氢氧化钠溶液,氢氧化钠占原料总量的20%,进行碱解反应0.5h;

(6)反应结束后,冷却至50℃,由反应釜5塔底出料,分装成桶。

3.根据权利要求2所述的一种三元复合驱钙硅钡垢抑制剂的制备方法,其特征在于:所述的反应釜(5)为间歇式夹套搪瓷反应釜,反应釜温度采用水-水气蒸气控温,通过调节蒸汽及冷却水的阀门的流量来调节温度,反应釜配有蒸汽管线(6)及冷却水管线(7)连接蒸汽回流装置,反应釜(5)顶部连接冷凝器(4)。

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